按照式(3.3)，VG的设定值是在AM26LS32AIDR源极电位Vs上加上栅极一源极间电压VGS的值。
    图3.6是2SK184 GR档的传输特性。GR档器件的IDSS分散在2.6～6.5mA的范围。那么工作点ID一ImA时伴随着的VGS值分散在-o．4～-o．V的范围。
    因此，ID =lmA时的VG。的取这个范围的中间值-o．25V。这样，由式(3.3)得到VG为：
    VG=VS+VGS=2V+(-0.25V) =1.75V    
    算电路常数时取分散量的中间值(-0.25V)）
    由式(3.2)可以看出，栅极电位VG是电源电压VDD =15V被栅极偏置电路Ri、R2分压后的值，所以可以把R2的电压降设定为1.75V，将Ri的电压降设定为13.25V。因此，Ri与R2之比设定为Ri：R2 =1.75：13.25。
    双极晶体管中有基极电流流过，所以设定这种偏置电路（基极偏置电路）中的Ri和R2值时必须使电流比基极电流大得多(10倍以上)。但是FET器件中没有栅极电流，所以只要保证Ri与Rz的比值，其电阻值多大都可以。
    Ri与R2的值只与电路的输入阻抗Zi有关（后面将测定ZI），如果值太小，将会使得变小，导致电路应用上的困难。所以应取值稍大些，这里取R2=20kQ，Ri=150kC2。