晶体材料控制要求
发布时间:2012/5/7 19:33:36 访问次数:774
(1)内应力控制
晶体制备过程中会产生晶体内部10037912-104LF的晶格应变，与之相对应的应力称为内应力。内应力可以诱生缺陷或使缺陷滑移和聚集。控制晶体的生长速度、在晶体承受高温处理后采取适当的降温速率、在晶体经机械加工时减小机械应力等都可以有效地控制晶体的内应力。通常用X光衍射法测量晶体常数的奇变来检测单晶的内应力。
(2)晶体缺陷控制
单晶体中原子没右按固有周期排列的局部称晶体缺陷。缺陷的增长，滑移和聚集会产生晶体的裂痕。缺陷会使晶体的力学性质、电学性质劣化，从而导致声表面波器件的失效，还会引起声表面波器件的性能退化失效或致命的烧毁失效等失效模式，除了控制单晶的完美性、晶体生长速度、晶体降温速率、极化定向精度，减少机械加工应力之外，适当条件的退火，或采用缺陷吸除技术也可以有效地控制晶体缺陷。
(3)平整度与翘曲率控制
晶片的厚度均匀性用平整度表征，晶片偏离同一水平面的程度用翘曲率来表征。平整度和翘曲率差的晶片会使声表面波器件的结构发生畸变，使声表面波器件的结构达不到设计要求，从而产生超容差现象，影响可靠性。当这种晶片需要与封装外壳黏接时常常发生接触不良或产生应力造成失效隐患。
平整度通常用光干涉法测量，翘曲率用电容敏感式翘曲率测量仪测量。平整度和翘曲率是在晶片的切割、磨平和抛光过程中进行控制的。晶片在高温工艺中，在覆盖各种膜的过程中会使其翘曲率劣化，通常用低温工艺和用不同厚度比的复合膜来控制工艺过程中的翘曲率劣化。
晶体制备过程中会产生晶体内部10037912-104LF的晶格应变，与之相对应的应力称为内应力。内应力可以诱生缺陷或使缺陷滑移和聚集。控制晶体的生长速度、在晶体承受高温处理后采取适当的降温速率、在晶体经机械加工时减小机械应力等都可以有效地控制晶体的内应力。通常用X光衍射法测量晶体常数的奇变来检测单晶的内应力。
(2)晶体缺陷控制
单晶体中原子没右按固有周期排列的局部称晶体缺陷。缺陷的增长，滑移和聚集会产生晶体的裂痕。缺陷会使晶体的力学性质、电学性质劣化，从而导致声表面波器件的失效，还会引起声表面波器件的性能退化失效或致命的烧毁失效等失效模式，除了控制单晶的完美性、晶体生长速度、晶体降温速率、极化定向精度，减少机械加工应力之外，适当条件的退火，或采用缺陷吸除技术也可以有效地控制晶体缺陷。
(3)平整度与翘曲率控制
晶片的厚度均匀性用平整度表征，晶片偏离同一水平面的程度用翘曲率来表征。平整度和翘曲率差的晶片会使声表面波器件的结构发生畸变，使声表面波器件的结构达不到设计要求，从而产生超容差现象，影响可靠性。当这种晶片需要与封装外壳黏接时常常发生接触不良或产生应力造成失效隐患。
平整度通常用光干涉法测量，翘曲率用电容敏感式翘曲率测量仪测量。平整度和翘曲率是在晶片的切割、磨平和抛光过程中进行控制的。晶片在高温工艺中，在覆盖各种膜的过程中会使其翘曲率劣化，通常用低温工艺和用不同厚度比的复合膜来控制工艺过程中的翘曲率劣化。
(1)内应力控制
晶体制备过程中会产生晶体内部10037912-104LF的晶格应变，与之相对应的应力称为内应力。内应力可以诱生缺陷或使缺陷滑移和聚集。控制晶体的生长速度、在晶体承受高温处理后采取适当的降温速率、在晶体经机械加工时减小机械应力等都可以有效地控制晶体的内应力。通常用X光衍射法测量晶体常数的奇变来检测单晶的内应力。
(2)晶体缺陷控制
单晶体中原子没右按固有周期排列的局部称晶体缺陷。缺陷的增长，滑移和聚集会产生晶体的裂痕。缺陷会使晶体的力学性质、电学性质劣化，从而导致声表面波器件的失效，还会引起声表面波器件的性能退化失效或致命的烧毁失效等失效模式，除了控制单晶的完美性、晶体生长速度、晶体降温速率、极化定向精度，减少机械加工应力之外，适当条件的退火，或采用缺陷吸除技术也可以有效地控制晶体缺陷。
(3)平整度与翘曲率控制
晶片的厚度均匀性用平整度表征，晶片偏离同一水平面的程度用翘曲率来表征。平整度和翘曲率差的晶片会使声表面波器件的结构发生畸变，使声表面波器件的结构达不到设计要求，从而产生超容差现象，影响可靠性。当这种晶片需要与封装外壳黏接时常常发生接触不良或产生应力造成失效隐患。
平整度通常用光干涉法测量，翘曲率用电容敏感式翘曲率测量仪测量。平整度和翘曲率是在晶片的切割、磨平和抛光过程中进行控制的。晶片在高温工艺中，在覆盖各种膜的过程中会使其翘曲率劣化，通常用低温工艺和用不同厚度比的复合膜来控制工艺过程中的翘曲率劣化。
晶体制备过程中会产生晶体内部10037912-104LF的晶格应变，与之相对应的应力称为内应力。内应力可以诱生缺陷或使缺陷滑移和聚集。控制晶体的生长速度、在晶体承受高温处理后采取适当的降温速率、在晶体经机械加工时减小机械应力等都可以有效地控制晶体的内应力。通常用X光衍射法测量晶体常数的奇变来检测单晶的内应力。
(2)晶体缺陷控制
单晶体中原子没右按固有周期排列的局部称晶体缺陷。缺陷的增长，滑移和聚集会产生晶体的裂痕。缺陷会使晶体的力学性质、电学性质劣化，从而导致声表面波器件的失效，还会引起声表面波器件的性能退化失效或致命的烧毁失效等失效模式，除了控制单晶的完美性、晶体生长速度、晶体降温速率、极化定向精度，减少机械加工应力之外，适当条件的退火，或采用缺陷吸除技术也可以有效地控制晶体缺陷。
(3)平整度与翘曲率控制
晶片的厚度均匀性用平整度表征，晶片偏离同一水平面的程度用翘曲率来表征。平整度和翘曲率差的晶片会使声表面波器件的结构发生畸变，使声表面波器件的结构达不到设计要求，从而产生超容差现象，影响可靠性。当这种晶片需要与封装外壳黏接时常常发生接触不良或产生应力造成失效隐患。
平整度通常用光干涉法测量，翘曲率用电容敏感式翘曲率测量仪测量。平整度和翘曲率是在晶片的切割、磨平和抛光过程中进行控制的。晶片在高温工艺中，在覆盖各种膜的过程中会使其翘曲率劣化，通常用低温工艺和用不同厚度比的复合膜来控制工艺过程中的翘曲率劣化。
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