双极晶体管(BJT)
发布时间:2012/4/25 19:54:32 访问次数:1812
双极晶体管类型和品种很多，根据PN结的CY8C20346A-24LQXI形成方式不同可分为点接触型晶体管和面接触型晶体管；根据制作工艺的不同可分为合金管、合金扩散管、台面管及平面管；而根据功能与用途的不同来分其种类更多，如低频管、高频管、微波管、功率管、开关管和低噪声管等。目前应用最多的是硅平面晶体管，它也是构成硅双极集成电路的基本单元器件。
无论双极晶体管种类多么繁多，就其基本结构而言，其管芯都是由两个背对背且相距极近的PN结所构成。将这两个PN结分别称为发射结和集电结。两个PN结将管子分为3个区域：发射区、基区和集电区。发射区主要作用是发射载流子（电子或空穴）；基区是基本工作区，其功能是对载流子进行输运与控制；集电区的作用是收集载流子。
双极晶体管的基本功能是在电路中对电流、电压或功率县有放大和开关作用。在实现信号放大的应用中，BJT输入的通常是交流小信号，即信号电压幅度远小于热电势kT/q，室温下约为26mV，比直流偏置电压小得多，相应的交流电流也会比直流偏置下的电流小得多；这时BJT工作在正向有源区，作为线性放大，输入信号电流、输出信号电流、输入信号电压及输出信号电压之间可近似为线性变化关系；随着信号频率升高，BJT内各种电容效应的影响使电流增益迅速下降，从而对使用频率提出限制。如果管子在截止和饱和（或放大）态之间快速转换，则起到电子开关的作用。开关过程是大信号的瞬变过程，开关要求晶体管具有更快的速度即更短的开关时间。影响开关速度的内因是晶体管的结构、材料的性质，包括基区、集电区电荷的积累及泄失，势垒电容、扩散电容的充、放电，超量储存电荷的积累及泄放，载流子的复合等；外因是外电路的驱动和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
无论双极晶体管种类多么繁多，就其基本结构而言，其管芯都是由两个背对背且相距极近的PN结所构成。将这两个PN结分别称为发射结和集电结。两个PN结将管子分为3个区域：发射区、基区和集电区。发射区主要作用是发射载流子（电子或空穴）；基区是基本工作区，其功能是对载流子进行输运与控制；集电区的作用是收集载流子。
双极晶体管的基本功能是在电路中对电流、电压或功率县有放大和开关作用。在实现信号放大的应用中，BJT输入的通常是交流小信号，即信号电压幅度远小于热电势kT/q，室温下约为26mV，比直流偏置电压小得多，相应的交流电流也会比直流偏置下的电流小得多；这时BJT工作在正向有源区，作为线性放大，输入信号电流、输出信号电流、输入信号电压及输出信号电压之间可近似为线性变化关系；随着信号频率升高，BJT内各种电容效应的影响使电流增益迅速下降，从而对使用频率提出限制。如果管子在截止和饱和（或放大）态之间快速转换，则起到电子开关的作用。开关过程是大信号的瞬变过程，开关要求晶体管具有更快的速度即更短的开关时间。影响开关速度的内因是晶体管的结构、材料的性质，包括基区、集电区电荷的积累及泄失，势垒电容、扩散电容的充、放电，超量储存电荷的积累及泄放，载流子的复合等；外因是外电路的驱动和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
双极晶体管类型和品种很多，根据PN结的CY8C20346A-24LQXI形成方式不同可分为点接触型晶体管和面接触型晶体管；根据制作工艺的不同可分为合金管、合金扩散管、台面管及平面管；而根据功能与用途的不同来分其种类更多，如低频管、高频管、微波管、功率管、开关管和低噪声管等。目前应用最多的是硅平面晶体管，它也是构成硅双极集成电路的基本单元器件。
无论双极晶体管种类多么繁多，就其基本结构而言，其管芯都是由两个背对背且相距极近的PN结所构成。将这两个PN结分别称为发射结和集电结。两个PN结将管子分为3个区域：发射区、基区和集电区。发射区主要作用是发射载流子（电子或空穴）；基区是基本工作区，其功能是对载流子进行输运与控制；集电区的作用是收集载流子。
双极晶体管的基本功能是在电路中对电流、电压或功率县有放大和开关作用。在实现信号放大的应用中，BJT输入的通常是交流小信号，即信号电压幅度远小于热电势kT/q，室温下约为26mV，比直流偏置电压小得多，相应的交流电流也会比直流偏置下的电流小得多；这时BJT工作在正向有源区，作为线性放大，输入信号电流、输出信号电流、输入信号电压及输出信号电压之间可近似为线性变化关系；随着信号频率升高，BJT内各种电容效应的影响使电流增益迅速下降，从而对使用频率提出限制。如果管子在截止和饱和（或放大）态之间快速转换，则起到电子开关的作用。开关过程是大信号的瞬变过程，开关要求晶体管具有更快的速度即更短的开关时间。影响开关速度的内因是晶体管的结构、材料的性质，包括基区、集电区电荷的积累及泄失，势垒电容、扩散电容的充、放电，超量储存电荷的积累及泄放，载流子的复合等；外因是外电路的驱动和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
无论双极晶体管种类多么繁多，就其基本结构而言，其管芯都是由两个背对背且相距极近的PN结所构成。将这两个PN结分别称为发射结和集电结。两个PN结将管子分为3个区域：发射区、基区和集电区。发射区主要作用是发射载流子（电子或空穴）；基区是基本工作区，其功能是对载流子进行输运与控制；集电区的作用是收集载流子。
双极晶体管的基本功能是在电路中对电流、电压或功率县有放大和开关作用。在实现信号放大的应用中，BJT输入的通常是交流小信号，即信号电压幅度远小于热电势kT/q，室温下约为26mV，比直流偏置电压小得多，相应的交流电流也会比直流偏置下的电流小得多；这时BJT工作在正向有源区，作为线性放大，输入信号电流、输出信号电流、输入信号电压及输出信号电压之间可近似为线性变化关系；随着信号频率升高，BJT内各种电容效应的影响使电流增益迅速下降，从而对使用频率提出限制。如果管子在截止和饱和（或放大）态之间快速转换，则起到电子开关的作用。开关过程是大信号的瞬变过程，开关要求晶体管具有更快的速度即更短的开关时间。影响开关速度的内因是晶体管的结构、材料的性质，包括基区、集电区电荷的积累及泄失，势垒电容、扩散电容的充、放电，超量储存电荷的积累及泄放，载流子的复合等；外因是外电路的驱动和抽取，包括V BB、RB、Vcc、RL等因素。
上一篇：半导体二极管
上一篇：场效应晶体管(FET)
相关技术资料- 4-25双极晶体管(BJT)
热门点击
公网安备44030402000607
