在进行电子线路设计时，应适当放STM32F100RBT6B宽半导体分立器件的参数允许变化范围（包括半导体分立器件的制造容差、温度漂移、时间漂移、辐射导致的漂移等），以保证半导体分立器件的参数在一定范围内变化时，产品仍能正常的工作。
    只要可能，电路的性能应基于器件（晶体管、二极管）最稳定的参数之上。设计人员在电路的设计中应留有足够的余量，以便适应由于参数漂移引起的电气性能的改变，如晶体管的共发射极静态正向电流传输比、发射极开路时集电极直流截止电流、二极管的直流导通电压和最大反向电流等，这些参数有可能减少或增加到规走数值的两倍。对于公差、温度和时间造成的半导体分立器件性能的变化，应该采用一般的限制；对于那些在使用期间稳定性较差的特性，应采用比稳定性更好的特性更宽的限制。
    半导体分立器件在其寿命期内参数值会在规定的限制范围内发生变化，因此就长寿命可靠性设计来说，设计方案应当允许主要性能参数在某一范围内波动（如表4. 34所示）。