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防过热设计技术

发布时间:2012/4/29 21:38:05 访问次数:676

    温度是影响半导体分立器件74LVC1G58GW寿命的重要因素。防过热的主要目的在于把半导体分立器件的结温控制在允许的范围内。
    一般情况下,硅半导体器件的最高结温为175℃,而锗为100℃,但经常为了提高可靠性而把硅器件最高结温定在175℃以下(甚至低到100℃)。
    半导体分立器件的结温与热阻、功耗及环境温度有关。热阻包括内热阻、外热阻和接触热阻。内热阻取决于半导体分立器件的设计、材料、结构和工艺,是半导体分立器件自身的属性。为了控制外热阻和接触热阻,在使用半导体分立器件时应进行可靠性热设计。要注意如下要点:
    ①功率半导体分立器件应装在散热器上。
    ②散热器的表面积应满足热设计要求。
    ③工作于正常大气条件下的型材散热器应使肋片沿其长度方向垂直安装,以便于自然对流。当散热器上有多个肋片时,应选择肋片间距大的散热器。
    ④半导体分立器件外壳写散热器间的接触热阻应尽可能小,而接触面积应尽量增大,并保持接触面光洁,必要时可在接触面涂上导热膏或加热绝缘硅橡胶片,借助于合适的紧固措施保证紧密接触等。
    ⑤散热器进行表面处理,使其粗糙度适当并使其表面呈黑色,以增强辐射散热。
    ⑥对热敏感的半导体分立器件,安装时应远离耗散功率大的元器件。
    ⑦工作于真空环境中的半导体分立器件,散热器设计时应以只有辐射和传导散热为基础。
    温度是影响半导体分立器件74LVC1G58GW寿命的重要因素。防过热的主要目的在于把半导体分立器件的结温控制在允许的范围内。
    一般情况下,硅半导体器件的最高结温为175℃,而锗为100℃,但经常为了提高可靠性而把硅器件最高结温定在175℃以下(甚至低到100℃)。
    半导体分立器件的结温与热阻、功耗及环境温度有关。热阻包括内热阻、外热阻和接触热阻。内热阻取决于半导体分立器件的设计、材料、结构和工艺,是半导体分立器件自身的属性。为了控制外热阻和接触热阻,在使用半导体分立器件时应进行可靠性热设计。要注意如下要点:
    ①功率半导体分立器件应装在散热器上。
    ②散热器的表面积应满足热设计要求。
    ③工作于正常大气条件下的型材散热器应使肋片沿其长度方向垂直安装,以便于自然对流。当散热器上有多个肋片时,应选择肋片间距大的散热器。
    ④半导体分立器件外壳写散热器间的接触热阻应尽可能小,而接触面积应尽量增大,并保持接触面光洁,必要时可在接触面涂上导热膏或加热绝缘硅橡胶片,借助于合适的紧固措施保证紧密接触等。
    ⑤散热器进行表面处理,使其粗糙度适当并使其表面呈黑色,以增强辐射散热。
    ⑥对热敏感的半导体分立器件,安装时应远离耗散功率大的元器件。
    ⑦工作于真空环境中的半导体分立器件,散热器设计时应以只有辐射和传导散热为基础。
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4-29防过热设计技术

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