S102薄膜的击穿机理
发布时间:2012/4/27 19:22:00 访问次数:909
①本征击穿：外电场超过介SG6742MRSY质材料的介电强度引起击穿。
②非本征击穿：介质中存在微裂缝、气孔、灰尘、纤维丝等疵点，由气体放电、等离子体、电弧、电热分解等引起击穿。
③自愈击穿：击穿产生的热量将击穿点处的Al蒸发。
④毁坏击穿：Al在击穿侵入Si0：层中，使Al-Si连通。
实验证明，毁坏击穿多数发生在电场强度E≈2×l06V／CIlfl和E≈8×l06 V／cm二个峰，故可利用上述机理对Si0：薄膜进行电老化筛选，去除有疵点的Si0。膜（芯片）。
⑤S102雪扇击穿：碰撞电离E。=9eV。
⑥临界电场强度：6.1×l07 V／cm，Fowler-nordheim隧道击穿，其击穿电场较低，为(1～9)×l06 V／cm，对Al电极，击穿电场为(1±0.2)×10，V／cm。
当Al电极厚度<1000A时，多数发生自愈击穿，Si0。中存在Na+、H+时，击穿电场降低。当Al-S102界面有凸起发生(10～100A)时，在凸起处，电场集中，Al膜中电子有足够能量穿透Al-Si0。势垒(3. leV)，进入Si0。形成隧道击穿，击穿点直
径仅几十安培，电流密度为l04 A/cm2。
②非本征击穿：介质中存在微裂缝、气孔、灰尘、纤维丝等疵点，由气体放电、等离子体、电弧、电热分解等引起击穿。
③自愈击穿：击穿产生的热量将击穿点处的Al蒸发。
④毁坏击穿：Al在击穿侵入Si0：层中，使Al-Si连通。
实验证明，毁坏击穿多数发生在电场强度E≈2×l06V／CIlfl和E≈8×l06 V／cm二个峰，故可利用上述机理对Si0：薄膜进行电老化筛选，去除有疵点的Si0。膜（芯片）。
⑤S102雪扇击穿：碰撞电离E。=9eV。
⑥临界电场强度：6.1×l07 V／cm，Fowler-nordheim隧道击穿，其击穿电场较低，为(1～9)×l06 V／cm，对Al电极，击穿电场为(1±0.2)×10，V／cm。
当Al电极厚度<1000A时，多数发生自愈击穿，Si0。中存在Na+、H+时，击穿电场降低。当Al-S102界面有凸起发生(10～100A)时，在凸起处，电场集中，Al膜中电子有足够能量穿透Al-Si0。势垒(3. leV)，进入Si0。形成隧道击穿，击穿点直
径仅几十安培，电流密度为l04 A/cm2。
①本征击穿：外电场超过介SG6742MRSY质材料的介电强度引起击穿。
②非本征击穿：介质中存在微裂缝、气孔、灰尘、纤维丝等疵点，由气体放电、等离子体、电弧、电热分解等引起击穿。
③自愈击穿：击穿产生的热量将击穿点处的Al蒸发。
④毁坏击穿：Al在击穿侵入Si0：层中，使Al-Si连通。
实验证明，毁坏击穿多数发生在电场强度E≈2×l06V／CIlfl和E≈8×l06 V／cm二个峰，故可利用上述机理对Si0：薄膜进行电老化筛选，去除有疵点的Si0。膜（芯片）。
⑤S102雪扇击穿：碰撞电离E。=9eV。
⑥临界电场强度：6.1×l07 V／cm，Fowler-nordheim隧道击穿，其击穿电场较低，为(1～9)×l06 V／cm，对Al电极，击穿电场为(1±0.2)×10，V／cm。
当Al电极厚度<1000A时，多数发生自愈击穿，Si0。中存在Na+、H+时，击穿电场降低。当Al-S102界面有凸起发生(10～100A)时，在凸起处，电场集中，Al膜中电子有足够能量穿透Al-Si0。势垒(3. leV)，进入Si0。形成隧道击穿，击穿点直
径仅几十安培，电流密度为l04 A/cm2。
②非本征击穿：介质中存在微裂缝、气孔、灰尘、纤维丝等疵点，由气体放电、等离子体、电弧、电热分解等引起击穿。
③自愈击穿：击穿产生的热量将击穿点处的Al蒸发。
④毁坏击穿：Al在击穿侵入Si0：层中，使Al-Si连通。
实验证明，毁坏击穿多数发生在电场强度E≈2×l06V／CIlfl和E≈8×l06 V／cm二个峰，故可利用上述机理对Si0：薄膜进行电老化筛选，去除有疵点的Si0。膜（芯片）。
⑤S102雪扇击穿：碰撞电离E。=9eV。
⑥临界电场强度：6.1×l07 V／cm，Fowler-nordheim隧道击穿，其击穿电场较低，为(1～9)×l06 V／cm，对Al电极，击穿电场为(1±0.2)×10，V／cm。
当Al电极厚度<1000A时，多数发生自愈击穿，Si0。中存在Na+、H+时，击穿电场降低。当Al-S102界面有凸起发生(10～100A)时，在凸起处，电场集中，Al膜中电子有足够能量穿透Al-Si0。势垒(3. leV)，进入Si0。形成隧道击穿，击穿点直
径仅几十安培，电流密度为l04 A/cm2。
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