场效应晶体管包括PN结型场CY8C20436A-24LQXI效应管(JFET)、金属半导体场效应管(MES-FET)及金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)等。与双极晶体管相比，FET具有许多不同的特点：
    ①它是一种屯压控制器件，而BJT是电流控制器件。
    ②它是多子器件，因而无少子扩散引起的散粒噪声，仅有热噪声，故噪声很低；同时，它是一种单极器件，即只有一种极性的载流子参与工作，而BJT是双极的。
    ③输入阻抗高，有利于放大器的直接耦合，且输入功耗小。
    ④温度稳定性好，具有零或负的温度系数，大电流下工作稳定，增益在较高漏电流下为常数。
    ⑤制造工艺较BJT简单，有利于提高集成度。
    (1) PN结型场效应管(JFET)
    JFET是用PN结作为栅的FET，依靠加在PN结上的电压控制从结到耗尽层的宽度，从而改变沟道宽度、控制流过源和漏之间的电流的半导体器件。JFET的工作特性可以大部分与MESFET的工作特性作同样考虑，但由于栅极要用PN结，因而必须考虑PN结产生的耗尽量延迟程度的不同。一般而言，JFET具有如下特征：
    ①扩散电位可以达到1V以上，具有很大的工作余裕度。
    ②可以外加高的栅电压，饱和电流可以设计得更大，得到高的跨导。

    ③由于可以得到高的跨导和高的饱和电流，因而电路内的各个节点的充电时间加快，可以达到高速工作，但功耗趋于增大。
    ④可以用选择性离子注入扩散形成N沟道和P沟道，适用于构成互补型电路。
    ⑤用扩散和离子注入形成结，不适于微细化加工。外延结必须采用刻蚀等特殊加工技术。