运行模式下的功耗
发布时间:2012/2/20 20:55:53 访问次数:467
代码从FLASH执行的运行模式下的功耗见表2.10。代码从RAM执行的运行模式下的功耗见表2. 11。BT869KRF
从表2. 10和2.11可见:
·功耗随着时钟频率的增加而增加。
·在代码从RAM执行时,其代码的执行时间比从闪存执行相同代码要长。
·在使用内部时钟时,功耗与电源电压无关,这是因为内部RC振荡器是由内部的1.8V稳压器供电的。
·表2. 10和表2.11没有体现出代码位于存储器不同位置的不同功耗。但是,如果循环代码的大小小于一个存储器块的大小,把循环代码放置在一个存储器块中可以降低功耗。因为这时只激活了一个存储器块。
·表2. 10和表2.11没有体现出执行不同代码的不同功耗。但是,运行模式下的功耗和执行的指令与指令的操作数有关。功耗相对低的指令有INC A和NOP等。功耗相对高的指令有LD(从闪存)和ADD A,#$01等。
·外晶振的功耗大致为:SV,0.6mA;3.3V,0.3mA。
代码从FLASH执行的运行模式下的功耗见表2.10。代码从RAM执行的运行模式下的功耗见表2. 11。BT869KRF
从表2. 10和2.11可见:
·功耗随着时钟频率的增加而增加。
·在代码从RAM执行时,其代码的执行时间比从闪存执行相同代码要长。
·在使用内部时钟时,功耗与电源电压无关,这是因为内部RC振荡器是由内部的1.8V稳压器供电的。
·表2. 10和表2.11没有体现出代码位于存储器不同位置的不同功耗。但是,如果循环代码的大小小于一个存储器块的大小,把循环代码放置在一个存储器块中可以降低功耗。因为这时只激活了一个存储器块。
·表2. 10和表2.11没有体现出执行不同代码的不同功耗。但是,运行模式下的功耗和执行的指令与指令的操作数有关。功耗相对低的指令有INC A和NOP等。功耗相对高的指令有LD(从闪存)和ADD A,#$01等。
·外晶振的功耗大致为:SV,0.6mA;3.3V,0.3mA。
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