耦合电容器的影响
发布时间:2011/12/17 10:35:53 访问次数:1551
基本电路理论曾定义Xe =1/(2πfC)。这个公式显示容抗值和频率成反比。频率较低时,容抗值较高,而且它随着频率增加而减少。AD722JR在较低频率下,例如10Hz以下的声频,如图10.1所示电容耦合放大器的电压增益,比较高频率时的电压增益小。其原因是在较低频率时,Cl和C3的容抗较大,所以两个黾容器会产生更多的电压降。在较低频率下,因为电容器产生更多的电压降,使电压增益下降。同样地,因为C1和放大器的输入阻抗RL组成超前电路,且C3会和RL与Re或RD的并联阻抗组成超前电路,所以耦合电容器会导致相位移。再回想一下,所谓超前电路(lead circuit)是一个RC电路,其作用令R两端的输出电压相位领先输入电压的相位。
基本电路理论曾定义Xe =1/(2πfC)。这个公式显示容抗值和频率成反比。频率较低时,容抗值较高,而且它随着频率增加而减少。AD722JR在较低频率下,例如10Hz以下的声频,如图10.1所示电容耦合放大器的电压增益,比较高频率时的电压增益小。其原因是在较低频率时,Cl和C3的容抗较大,所以两个黾容器会产生更多的电压降。在较低频率下,因为电容器产生更多的电压降,使电压增益下降。同样地,因为C1和放大器的输入阻抗RL组成超前电路,且C3会和RL与Re或RD的并联阻抗组成超前电路,所以耦合电容器会导致相位移。再回想一下,所谓超前电路(lead circuit)是一个RC电路,其作用令R两端的输出电压相位领先输入电压的相位。
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