一、简单的阻容移相触发电路及参数选择
1．单向晶闸管阻容移相触发电路
    单向晶闸管阻容加二极管式移相触发电路如图12-15 (a)所示，
其波形如图12-15 (b)所示。

(b)波形图
    图12 -15阻容加二极管式移相电路
    电路特点：简单，移相范围<180℃，实际范围级为170。；受
温度影响较大，适用于小功率、要求不高的场合。
    单向晶闸管阻容加稳压管式移相触发电路如图12-16 (a)所示，
其波形如图12-16 (b)所示。

               (a)电路图          (b)波形图
    图12 -16  阻容加稳压管式移相电路
    电路特点：简单，移相范围<180。；线性度较好，控制准确度
较好，适用于低电压，而又要求不高的电镀、电解电源等。
图中，电位器RP选用十几至几十千欧，o．5～1W;二极管选
用2CP12或1N4001等；稳压管VS选用稳压值Uz为十几伏至数
十伏、最大稳定电流J。。为数十毫安的管子；电容C选用0. 033～
o．ltu,F，漏电流小的电容，如CBB22型等；电解电容C选用10～
lOOp,F，也要求漏电流小。
2．双向晶闸管阻容移相触发电路
    双向晶闸管阻容加双向触发二极管式移相触发电路如图12-17
(a)所示，其波形如图12-17 (b)所示。图中，UB0为双向触发二极
管的转折电压（击穿电压），一般为20～70V，击穿电流为
100～2001u,A。
(a)电路图
0
(b)波形图
    图12 -17双向晶闸管阻容移相电路
    RP、R2和C的选择与所需的最大、最小移相角有关。对于如
图12-17 (a)参数，当RP的阻值为o时，C的充电时间常数r1 -
R2C=l.8×103×0.1×10-6一0.18ms;当RP的电阻值为98kQ
时，C的充电时间常数r2一(RP+R2)C= (98+1.8)×103×0.1×
10-6 =lOms;r1一o．18ms时，对应的控制角ai=3。（接近于双向
晶闸管全导通）；r2—lOnis时，对应的控制角a2 =1809（双向晶闸
管关闭）。可见，RP、R2、C的选择由调压范围而定。

    图12-17中Ri为限流电阻，也可不用。
    电阻、电位器的功率一般取0. 5～1W。
二、单结晶体管触发电路及参数选择
    由单结晶体管及阻容元件等组成的触发电路，又称单结晶体管

弛张振荡器。单结晶体管触发电路简单易调，脉冲前沿陡，抗干扰
能力强。但由于脉冲较窄，触发功率小，移相范围也较小，所以多
用于50A及以下晶闸管的中、小功率系统中。
    电路如图12-18(a)所示，波形如图12-18(b)所示。

1．工作原理
    接通同步电源，经稳压管VS削波，电压E经电阻R向电容C
充电，电容C两端电压Uc逐渐上升，当Uc上升至单结晶体管
VT的峰点电压Up时，管子e-bi导通，电容C通过e-bi和电阻
Ri迅速放电，在Ri上产生一脉冲输出电压。随着C的放电，Uc
迅速下降至管子谷点电压U，时，e．bi重新截止，电容C重新充
电，并重复上述过程。于是在电阻R2上产生如图12-18 (b)所示
的一串周期性的脉冲。
2．元件选择
    (1)电容C的选择  电容C的容量大小，储存的电能不足，
放电脉冲就窄，不易触开晶闸管；C的容量太大，这将与R的选
择产生矛盾。一般C的选择范围为0.1～ltLF，触发大容量的晶闸
管时可选大些。
    (2)放电电阻Ri的选择Ri的阻值太小，会使放电太快，尖
顶脉冲过窄，不易触发导通晶闸管；Ri的阻值太大，则漏屯流
（约几毫安）在风上的电压降就大，致使晶闸管误触发（晶闸管

的不触发电压约为0.15～0.25V）。一般R₁的选用范围为
50～100Ω。
    (3)温度补偿电阻R₂的选择  因为单结晶体管的峰值电压为
Up一ηU_bb +U_D，其中，分压比η几乎与温度无关，Up的变化是由
等效二极管的正向压降U_D引起，U_D具有- 2mV/℃的温度系数。
Up变化会引起晶闸管的导通角改变，这是不允许的。为了稳定
Up，接入电阻R2，此时基极间的电压将为

                              
    式中R_bb---基极间电阻，Ω。
    R_bb具有正的温度系数，只要适当选择R₂的数值，便可使
T)U_bb随温度的变化恰好补偿U_D的变化量。
    R2一般选用300～400Ω。
    (4)充电电阻R的选择  为了获得稳定的振荡，R的阻值应
满足
                    

式中  U_v，U_p-谷点和峰点电压，V;
    I_v，I_p一一谷点和峰点电流，A。
    为了便于调整，R-般由一只固定电阻和一只电位器串联
而成。
    振荡器的振荡频率按下式计算：
                

式中   f——振荡频率，Hz;
       R-电阻，Ω；
       C一一电容，F。
    (5)分压比η的选择  一般选用η为0.5～0.85的管子。η太
大，触发时间容易不稳定；η太小，脉冲幅值又不够高。

(6)稳压管VS的选择稳压管起同步作用，并能消除电源电
压波动的影响。稳压管的工作电压U。若选得太低，会使输出脉冲
幅度减小造成不触发；选得太高（超过单结晶体管的耐压，即30～
60V，或使触发脉冲幅值超过晶闸管控制极的允许值，且日10V），
会损坏单结晶体管或晶闸管。一般选用20V左右。
    实用的单结晶体管触发电路的形式有如图12-19所示的几种。

(b)利用二级管抑制负脉冲
的电路
    
    (e)经三极管控制放大的触发电路

M29F400BT45N1