自偏压是JFET偏压最常用的方式。请记得，正常工作的JFET，栅极一源极PN结必须反向偏压。要满足此条件，当JFET是N沟道
时，VGS必须是负值，当JFET是P沟道时，VGS为正值。如图7.16所示，自偏压电路可以达到这个目的。因为在栅极电阻RG两端没有电压降，所以RG不会影响电路的偏压，因此栅极电压保持在OV。应用在放大器中，RG只是用来将交流信号与接地之间隔开，后面会再说明。

                        
    在图7.16(a)的N沟道JFET电路中，在两端产生电压降，使得源极对接地的电位是正值。既然Is=ID且VG=0，则Vs=IDRs。栅极对源极电压是  VCS=VC-VS=O-IDRS=-IDRS
     因此,       VGS=- IDRS
    在图7. 16(b)的P沟道JFET电路中，Is在Rs两端产生的电压降，让源极的电位是负值，使得栅极对源极的电位是正值。既然Is=ID，因此      VGS=+IDRS
    在下述分析中， NDP7060将以图7.16(a)的N沟道JFET作为说明例题。而且请记住，P沟道JFET的分析与N沟道相同，只是电压极性相反。漏极对接地电压可以如下计算出来：             VD=VDD-IDRD
    既然Vs=IDRS，漏极对源极电压等于      VDS=VD-VS=VDD-ID(RD+Rs)