输入电阻与电容
发布时间:2011/12/16 9:27:28 访问次数:1516
我们已经知道，JFET正常动作时，其栅一源极PN结为反向偏置，O3250 这使得栅极的输入电阻变得非常高。高输入电阻是JFET相对于BJT具有优势的地方。请记得，双极型晶体管正常动作时，基极和发射极间的PN结为正向偏置。JFET特性参数表通常也会间接指定输入电阻，其方式是表示出在某个栅极对源极的电压下，栅极的反向电流值。然后利用下列公式求得输入电阻，其中的垂直线代表绝对值，即无关正负号。
例如，图7.14中的2N5457特性参数表上列出，25。和VGS=-15V时，IGSS的最大值为-1.OnA。温度增加时，IGSS跟着增加，所以输入电阻会减少。
JFET是工作在PN结反向偏压的状态下，所以会产生输入电容Ciss。请记得，反向偏压的PN结可以视为电容器，其电容量由反向偏压值决定。例如，当VGS=0,2N5457 JFET的电容器Ciss有最大值7pF。
我们已经知道，JFET正常动作时，其栅一源极PN结为反向偏置，O3250 这使得栅极的输入电阻变得非常高。高输入电阻是JFET相对于BJT具有优势的地方。请记得，双极型晶体管正常动作时，基极和发射极间的PN结为正向偏置。JFET特性参数表通常也会间接指定输入电阻，其方式是表示出在某个栅极对源极的电压下，栅极的反向电流值。然后利用下列公式求得输入电阻，其中的垂直线代表绝对值，即无关正负号。
例如，图7.14中的2N5457特性参数表上列出，25。和VGS=-15V时，IGSS的最大值为-1.OnA。温度增加时，IGSS跟着增加，所以输入电阻会减少。
JFET是工作在PN结反向偏压的状态下，所以会产生输入电容Ciss。请记得，反向偏压的PN结可以视为电容器，其电容量由反向偏压值决定。例如，当VGS=0,2N5457 JFET的电容器Ciss有最大值7pF。
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