你将在本节中学到，如何使用单一电源分压器偏压方式，R7731GE 使晶体管工作于线性区。这是最广泛使用的偏压方式。其他三种偏压法将在下节中详述。
    在学完本节后，你应该能够：分析分压器偏压电路；参与讨论偏压电路的输入阻抗效应；参与讨论分压器偏压电路的稳定性；说明如何降低或最后能消除3DC与VBE对Q点稳定性的影响；参与讨论PNP晶体管分压器偏压电路。
    到目前为止，我们一直使用单独的直流电源VBB，提供基极一发射极的偏置电压，其实这是为了方便说明晶体管的工作情况，因为它的变动情况与Ve。无关。一般更实用的方法，就是只使用单电压源Vcc，如图5.9所示。为了简化电路图，电池的符号可以省略，然后以端点加上圆圈的短直线取代，并加上电压的符号(Vcc)，如图5.9所示。

                     
    晶体管基极的直流偏压，可以利用R1与R2的分压器偏压电路取代，如图5.9所示。Vcc是直流集电极电
压源。在A点与接地之间，有两条电流路径：一条流经R2电阻，另一条流经晶体管的基极一发射极及RE电阻。
    若基极电流远小于流过R2上的电流，则此时偏压电路可简化成由R1与R2所组成的分压电路，如图5.lO(a)所示。若基极电流IB与I2比较下，仞然不可忽略，则出现在晶体管基极与接地之间的直流输入阻抗Rin(base)仍然必须考虑，如图5.10(b)所示。