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反相器是指输出信号的相位与输入信号相反吗?

发布时间:2011/10/21 10:32:07 访问次数:9940

    (1)反相器(非门)基本电路
    一个共射极晶体管放大器,HCPL2631 其输出信号的相位与输入信号相反,因此又称反相放大器。如这种电路用于放大脉冲信号,也是起反相放大的功能,这个电路从逻辑上来说是一个“非”电路,即“非门”。图7-30所示是一个由集成电路制成的非门电路,即反相器,输出信号的相位与输入相反,输入正极性脉冲,输出则为反极性脉冲。

               
    门电路是逻辑信号处理系统中的基本单元电路,它有DTL型、TTL型和C-MOS型三种。DTL是Diode Transistor Logic(二极管晶体管逻辑)的简称。TTL是Transistor TransistorLogic(晶体管晶体管逻辑)的简称。这两种逻辑电路的区别是DTL电路采用二极管作输入电路,TTL采用晶体管作输入电路。C-MOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor的缩写,这种电路主要是采用C-MOS炀效应晶体管组成的逻辑电路。
    (2) DTL反相器
    图7-31所示为DTL反相器电路的内部结构,输入端采用二极管,信号处理为晶体管,电源为+5V。当输入端A为高电平(数字“1”)时,二极管VD1截止,晶体管VT1导通,晶体管VT2导通输出为低电平(数字“0”)。当输入为低电平(数字“0”)时,二极管VD1导通,晶体管VT1截止,晶体管VT2截止,输出高电平(数字“l”)。

                      

   (3) TTL反相器
    图7-32所示为一个具有6个反相器的TTL集成电路,每一个反相器的内部电路结构也示于图中。

                  
    直流电压+5V为每一个反相器提供电源,当输入端A为高电平(数字“1”)时,晶体管VT1截止,晶体管VT2导通,二极管VD2截止,晶体管VT3导通,输出端A为低电平(数字“0”)。如果输入端A为低电平(数字“0”)时,电路发生反相的变化,则输出端A为高电平。
    (4) MOS场效应晶体管(FET)反相器
    场效应晶体管既可以作为线性放大器,也可以制成逻辑门电路,图7-33所示为MOS场效应晶体管制作的反相器。

                   
    场效应晶体管有N沟道和P沟道之分,用两者组成互补对称的电路简称CMOS互补输出电路,图7-34所示为它的工作原理图。当输入端②为高电平(数字“1”)输入时,N沟道场效应晶体管导通,③脚输出低电平(数字“0”);当②脚输入低电平(数字“0”)时,P沟道场效应晶体管导通输出高电平(数字“1”)。

                           
    图7-35为C-MOS反相器的实用电路(CD4069或TC74049)及每个反相器的电路结构,其工作原理与TTL电路相同。当A端输入高电平时,N沟道场效应晶体管VT1导通,P沟道场效应晶体管VT2截止,输出端彳为低电平。当A端输入低电平时,则电路工作态发生变化,VT2导通,VT1截止,输出端彳变为高电平。

                                  

          


 

    (1)反相器(非门)基本电路
    一个共射极晶体管放大器,HCPL2631 其输出信号的相位与输入信号相反,因此又称反相放大器。如这种电路用于放大脉冲信号,也是起反相放大的功能,这个电路从逻辑上来说是一个“非”电路,即“非门”。图7-30所示是一个由集成电路制成的非门电路,即反相器,输出信号的相位与输入相反,输入正极性脉冲,输出则为反极性脉冲。

               
    门电路是逻辑信号处理系统中的基本单元电路,它有DTL型、TTL型和C-MOS型三种。DTL是Diode Transistor Logic(二极管晶体管逻辑)的简称。TTL是Transistor TransistorLogic(晶体管晶体管逻辑)的简称。这两种逻辑电路的区别是DTL电路采用二极管作输入电路,TTL采用晶体管作输入电路。C-MOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor的缩写,这种电路主要是采用C-MOS炀效应晶体管组成的逻辑电路。
    (2) DTL反相器
    图7-31所示为DTL反相器电路的内部结构,输入端采用二极管,信号处理为晶体管,电源为+5V。当输入端A为高电平(数字“1”)时,二极管VD1截止,晶体管VT1导通,晶体管VT2导通输出为低电平(数字“0”)。当输入为低电平(数字“0”)时,二极管VD1导通,晶体管VT1截止,晶体管VT2截止,输出高电平(数字“l”)。

                      

   (3) TTL反相器
    图7-32所示为一个具有6个反相器的TTL集成电路,每一个反相器的内部电路结构也示于图中。

                  
    直流电压+5V为每一个反相器提供电源,当输入端A为高电平(数字“1”)时,晶体管VT1截止,晶体管VT2导通,二极管VD2截止,晶体管VT3导通,输出端A为低电平(数字“0”)。如果输入端A为低电平(数字“0”)时,电路发生反相的变化,则输出端A为高电平。
    (4) MOS场效应晶体管(FET)反相器
    场效应晶体管既可以作为线性放大器,也可以制成逻辑门电路,图7-33所示为MOS场效应晶体管制作的反相器。

                   
    场效应晶体管有N沟道和P沟道之分,用两者组成互补对称的电路简称CMOS互补输出电路,图7-34所示为它的工作原理图。当输入端②为高电平(数字“1”)输入时,N沟道场效应晶体管导通,③脚输出低电平(数字“0”);当②脚输入低电平(数字“0”)时,P沟道场效应晶体管导通输出高电平(数字“1”)。

                           
    图7-35为C-MOS反相器的实用电路(CD4069或TC74049)及每个反相器的电路结构,其工作原理与TTL电路相同。当A端输入高电平时,N沟道场效应晶体管VT1导通,P沟道场效应晶体管VT2截止,输出端彳为低电平。当A端输入低电平时,则电路工作态发生变化,VT2导通,VT1截止,输出端彳变为高电平。

                                  

          


 

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