AT49SN6416 64Mbit (4M×16bit)闪速存储器电路的基本特性：

1) 电压读/写范围为1. 65—1.95V；
2) 高性能，即①随机存取时间为70ns，
             ②页模式读取时间为20ns，
             ③同步突发频率为66MHz，
             ④配置突发脉冲操作；
3) 扇区清除架构，8个4k字扇区具有独立的写入锁定的，127个32k字主扇区具有独立的写入锁定；
4) 典型的扇区擦除时间，32k字扇区为700ms，4k字扇区为200ms；
5) 4层结构，当其他3层并行读操作时不被编程/擦除，即①存储器A层为存储器的25%，包括8个4k字扇区，
                                                  ②存储器B层为存储器的25%,由32k字的扇区组成，
                                                  ③存储器C层为存储器的25%,由32k字的扇区组成，
                                                  ④存储器D层为存储器的25%,由32k字的扇区组成；
6) 低功耗操作，正常工作时电流为30mA，待机时电流为35μA；
7) VPP引脚用于写保护和加速编程操作，RESET引脚用于设备初始化；
8) 提供顶部或底部的启动区块配置；
9) 128bit保护寄存器；
10)共同的闪速存储器接口(CFI)。