AT52BC6402A/AT52BG6402AT 64Mbit闪速存储器 16Mbit PSRAM（16倍I/O）电路的基本特性：

1) 64Mbit闪速存储器+16Mbit PSRAM；
2) 电源电压范围为2.7~3.1V；
3) 数据I/O×16，66引脚的CBCA封装；
4) 64Mbit (4Mbit x16)闪速存储器；
5) 电压读/写范围为2.7—3. 1V；
6) 高性能，异步存取时间为70/85 ns；
7) 扇区清除架构，即①8个4k字扇区具有个别写入锁定，
                   ②32k字主扇区具有个别写入锁定；
8) 典型的扇区擦除时间（32k字扇区为500ms，4k字扇区为lOOms）；
9) 64Mbit，4层结构，当其他3层并行读操作时不被编程/擦除,即 ①寄存器A层为寄存器的16Mbit，包括8个4k字扇区，
                                                          ②寄存器B层为寄存器的16Mbit，由32k字的扇区组成，
                                                          ③寄存器C层为寄存器的16Mbit，由32k字的扇区组成，
                                                          ④寄存器D层为寄存器的16Mbit，由32k字的扇区组成；
10)低功耗操作，正常工作时电流为30mA，待机电流为35μA；
11)V_PP引脚用于写保护和加速编程操作，RESET副脚用于设备初始化；
12)提供顶部或底部的启动区块配置；
13)128hit保护寄存器；
14)共同的闪速存储器接口(CFI)；
15)16Mbit(lMbit×16)；
16)工作电压范围为2.7~3.1V；
17)读取时间为70ns。