AT49F1604/AT49F1614 16Mbit（1Mx16bit/2Mx8bit）CMOS闪速存储器电路的基本特性：

1) 单电压读/写范围为4.5~5.5V;
2) 访问时间为70ns；
3) 扇区清除架构，30个32k字(64KB)扇区具有独立的写入封锁、8个4k字(8KB)扇区具有独立的写入封锁2个16k字(32KB)扇区具有独立的写入封锁；
4) 快速字编程时间为10μs；
5) 快速扇区擦除时间为200ms；
6) 双层组织，具有程序/擦除，允许并行读取，即①存储器A层为8个4k字、2个16k字和6个32k字扇区，②存储器B层为24个32k字扇区；
7) 低功率运行，有效电流为40mA，待机电流为10μA；
8) Data轮询，触发位，Ready/Busy用于程序检测的结束；
9) RESET输入用于设备初始化；
10)扇区程序解锁命令；
11)提供顶部或底部启动区块配置。