在10V电压下，600V CoolMOS™8 SJ MOSFET的栅极电荷（Qg）较CFD7降低了18%，较 P7降低了33%。在400V电压下，该产品系列的输出电容COSS较CFD7和P7降低了50%，关断损耗（Eoss） 较CFD7和P7降低了12%，反向恢复电荷（Qrr）较CFD7降低了3%。

此外，这些器件的反向恢复时间（trr）更短，热性能较上一代产品提高了14%至42%。

由于优化了RDS(on)，这些半导体器件拥有更高的功率密度，能使采用硅基超级结（SJ）技术的产品降低到7mΩ的个位数值。

16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI ³ 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。

器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试。

串行接口主要应用了差分信号传输技术，具有功耗低、抗干扰强，速度快的特点，诸如PCI Express（PCIe）Gen4等串行链路接口的数据传输率将达到双位千兆级传输速率。

由此，器件建模、互连建模和分析方法必须不断发展，以应对不断减小的设计余量和当今工程师面临的更具挑战的合规标准。

为了降低风险并优化设计，将分析尽可能地推向上游至关重要，以实现权衡、可行性研究、元件选择和约束获取。

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