当使用MOSFET驱动由上下桥臂构成的H桥、三相逆变器或类似的电路时，上桥臂和下桥臂的电源必须彼此隔离。

驱动MOSFET的下臂的电源可以共用。因此,H桥需要三个电源，而三相桥需要四个电源。

电荷泵由振荡电路、二极管和电容组成。电荷泵每一级提升的电压存储在电容器中。

当MOSFET由上下桥臂构成时，点荷泵可用于驱动高边。与自举电路不同，电荷泵对输出器件的占空比没有任何限制。

PCA82C250与AT89C55的硬件连接比MAX485与AT89C55的硬件连接还要简单，因为，PCA82C250的通信过程无需接收与发送的硬件转换控制，仅由软件来控制接浮时，CAN总线表现为“隐性”位数值，即CANH和CANL为悬浮态(VCAHN≈CANL≈VCC/2，相当于关闭总线)，这为具有“休眠”功能的系统提供了网络安全保障。

显然，在多主机条件下，“显性”位和“隐性”位的引入，可在总线上实现非破坏性总线仲裁，以裁决哪一个主设备应是下一个占有总线的设备。CC2541F256RHAR

由二极管和电容器组成的自举电路可以用来代替浮地电源。当MOSFET由逆变器或类似电路的上臂和下臂驱动时，可以在每个相中使用自举电容C，而不是浮置电源。

最初，必须接通下臂中的器件以通过虚线的路径从下臂的电源对电容C充电。下臂MOSFET每次导通时，电容C通过该路径充电。

由于上臂器件的占空比与电容C上存储的电荷量有一定的关系，因此上臂的占空比存在限制。与输出电压的情况一样，上臂的栅极电压波动使其对噪声敏感。因此，在设计上臂门电路时应谨慎。

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