封阻可替代硅MOSFET器件氮化镓(GaN)晶体管普及化最后一个壁垒
发布时间:2023/12/18 8:39:50 访问次数:94
Fusion ioMemory产品组合提供多种多样外形尺寸,从PCIe卡到适用于刀片服务器的Mezzanine存储。
每张卡都针对混合使用或读取密集型工作负载进行了优化,还可与SanDisk最新推出的下一代FlashSoft缓存软件搭配使用,可减少VMware vSphere®、Windows Server®和Linux环境中的I/O延迟,帮助客户进一步加速企业应用程序。
通过在我们的PowerEdge产品组合中提供高性能存储设备,如Fusion ioMemory PCIe加速器,我们正在为客户提供强大的解决方案,以应对最苛刻的企业环境。
EPC2035(60V)及EPC2036(100V)eGaN功率晶体管,专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件.价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓(GaN)晶体管的普及化的最后一个壁垒,而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。
此外,与等效MOSFET器件相比,EPC2035 及EPC2036器件的电容小很多。
氮化镓及MOSFET器件的面积-- EPC2035/EPC2036的面积大约是等效MOSFET的四十分之一。功率系统工程师首次可以采用氮化镓元件设计出具备更低的价格、更优越的开关速度及更小的尺寸的最终产品。
我们致力于为客户提供具有企业级存储可靠性和可维护性的解决方案。
减少从基于传统硬盘的存储系统中提取数据所需的时间长度并优化了基础架构。通过简化数据访问并结合Microsoft SQL、Oracle和MySQL数据库以及Spark、Redis和MongoDB等全新数据库技术,Fusion ioMemory卡可以提高性能,由此提高客户满意度。
SC1548C-HC32-TL
Fusion ioMemory产品组合提供多种多样外形尺寸,从PCIe卡到适用于刀片服务器的Mezzanine存储。
每张卡都针对混合使用或读取密集型工作负载进行了优化,还可与SanDisk最新推出的下一代FlashSoft缓存软件搭配使用,可减少VMware vSphere®、Windows Server®和Linux环境中的I/O延迟,帮助客户进一步加速企业应用程序。
通过在我们的PowerEdge产品组合中提供高性能存储设备,如Fusion ioMemory PCIe加速器,我们正在为客户提供强大的解决方案,以应对最苛刻的企业环境。
EPC2035(60V)及EPC2036(100V)eGaN功率晶体管,专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件.价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓(GaN)晶体管的普及化的最后一个壁垒,而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。
此外,与等效MOSFET器件相比,EPC2035 及EPC2036器件的电容小很多。
氮化镓及MOSFET器件的面积-- EPC2035/EPC2036的面积大约是等效MOSFET的四十分之一。功率系统工程师首次可以采用氮化镓元件设计出具备更低的价格、更优越的开关速度及更小的尺寸的最终产品。
我们致力于为客户提供具有企业级存储可靠性和可维护性的解决方案。
减少从基于传统硬盘的存储系统中提取数据所需的时间长度并优化了基础架构。通过简化数据访问并结合Microsoft SQL、Oracle和MySQL数据库以及Spark、Redis和MongoDB等全新数据库技术,Fusion ioMemory卡可以提高性能,由此提高客户满意度。
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