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FET技术具有大约20MHz至30MHz的高1/f噪声拐角频率

发布时间:2023/12/10 23:51:31 访问次数:161

GaAs或pHEMT工艺制造的其他增益部件放大器相比,LTC6433-15有着独特的不同之处。这些FET技术具有大约20MHz至30MHz的高1/f噪声拐角频率,于是容易出现高的噪声层上升,从而使其在低频率条件下无法使用。

与此相反,LTC6433-15放大器内核是采用高频SiGe双极型工艺制作的。

因此,这款放大器呈现低得多的1/f噪声拐角频率(通常低于10kHz),因而使之可在低频至100kHz范围内使用,并不会发生显著的噪声上升。

IS206X系列新一代双模式蓝牙®音频产品。新产品基于Microchip旗下备受青睐、高度集成的SoC(系统级芯片)器件和模块即IS202X产品组合,添加了蓝牙低功耗(BLE)功能。

这一基于闪存的平台特别为音箱、耳机和游戏耳麦而设计,拥有充足的灵活性和强大的设计性能,可以帮助音响制造商在流媒体音乐和语音命令应用中轻松集成无线连接功能。

ARM Cortex MCU和RTC皆以Ambiq拥有专利的亚阈值功率优化技术(SPOT™)平台为基础,这种创新技术使晶体管能够在远低于被半导体行业标准视为“标准”的电压水平下工作,因此其解决方案在功耗改善上远远超越其他半导体元件。

母线曲铜棒或铝棒组成,作用为集散、传输电能,在连接变电站各级电压配电装置、变压器及相应配电装置等设各时需要运用到母线。

根据母线形状、结构、应用场所的差异性,人们将其分为硬母线、软母线。

在实际应用中,硬母线具有施工便捷、载流量大、运行稳定等优点,但其缺点是成本高,多运用于主变到配电室;软母线同样施工便捷,但价格低廉,其缺点是在过于狭小的空间内安装容易导致相间断路,因此多用于室外。


HC32F460PETB

GaAs或pHEMT工艺制造的其他增益部件放大器相比,LTC6433-15有着独特的不同之处。这些FET技术具有大约20MHz至30MHz的高1/f噪声拐角频率,于是容易出现高的噪声层上升,从而使其在低频率条件下无法使用。

与此相反,LTC6433-15放大器内核是采用高频SiGe双极型工艺制作的。

因此,这款放大器呈现低得多的1/f噪声拐角频率(通常低于10kHz),因而使之可在低频至100kHz范围内使用,并不会发生显著的噪声上升。

IS206X系列新一代双模式蓝牙®音频产品。新产品基于Microchip旗下备受青睐、高度集成的SoC(系统级芯片)器件和模块即IS202X产品组合,添加了蓝牙低功耗(BLE)功能。

这一基于闪存的平台特别为音箱、耳机和游戏耳麦而设计,拥有充足的灵活性和强大的设计性能,可以帮助音响制造商在流媒体音乐和语音命令应用中轻松集成无线连接功能。

ARM Cortex MCU和RTC皆以Ambiq拥有专利的亚阈值功率优化技术(SPOT™)平台为基础,这种创新技术使晶体管能够在远低于被半导体行业标准视为“标准”的电压水平下工作,因此其解决方案在功耗改善上远远超越其他半导体元件。

母线曲铜棒或铝棒组成,作用为集散、传输电能,在连接变电站各级电压配电装置、变压器及相应配电装置等设各时需要运用到母线。

根据母线形状、结构、应用场所的差异性,人们将其分为硬母线、软母线。

在实际应用中,硬母线具有施工便捷、载流量大、运行稳定等优点,但其缺点是成本高,多运用于主变到配电室;软母线同样施工便捷,但价格低廉,其缺点是在过于狭小的空间内安装容易导致相间断路,因此多用于室外。


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