额定电压每增加一倍，维持相同的RDS(on)所需的面积就增加为原来的五倍以上。

高压的功率MOSFET采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的N-的外延层，即epi层，用来保证具有足够的击穿电压，低掺杂的N-的epi层的尺寸越厚，耐压的额定值越大，但是其导通电阻也急剧的增大。

离线LED控制器HVLED001/A内置一次侧恒压稳压(PSR-CV)电路和调光功能(0-10, PWM)，适用于反激式拓扑。PSR-CV模式意味着电路不需要光耦和二次侧控制器。该反激式拓扑使用前文单灯带所用的功率MOSFET、输出二极管和钳位网络。

圆环上的定位销用于圆环与圆盘“0”刻线对齐时,将圆盘与圆环固定;基座下角有一水平仪。组合量角器可以对舵面偏转角进行测量,也可以测量螺旋桨的安装角度。

可弯梁式也称指针式,它是最简单直观且较为精确的力矩扳手。扭力头上端固定一指针,在扳杆梁靠手柄处装有指示刻度盘。

力矩扳手是一种常用的带有力矩测量功能的专用工具,它可测量作用在紧固件上的扭力,从而防止由于力矩过大损坏紧固件或机件。力矩单位通常有:英寸。磅(in・1b)、英尺・磅(ft・1b)和米・牛顿(m・N)。

对于额定电压为600V的MOSFET，超过95%的电阻来自外延层。显然，要想显著减小RDS(on)的值，就需要找到一种对漂移区进行重掺杂的方法，并大幅减小epi电阻。 

导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，这样，就降低的电流的额定值。为了得到一定的导通电阻值，就必须增大硅片的面积，成本随之增加。

如果类似于IGBT引入少数载流子导电，可以降低导通压降，但是少数载流子的引入会降低工作的开关频率，并产生关断的电流拖尾，从而增加开关损耗。

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