在90nm节点后由于栅极漏电流过大难以继续减薄了11-12A
发布时间:2023/10/3 13:24:05 访问次数:67
在45nm技术节点采用高乃介质和金属栅极并进人量产, 引人多晶硅栅极后晶体管技术的最大变化。很快地,用于生产的高乃介质和金属栅极技术。
器件尺寸按摩尔定律的要求不断缩小,栅极介质的厚度不断减薄,但栅极的漏电流也随之增大。
在5.0nm以下,Sio2作为栅极介质所产生的漏电流已无法接受,这是由电子的直接隧穿效应造成的。对SiO2进行氮化,生成⒊ON可以使这一问题得以改善,但是在90nm节点后,由于栅极漏电流过大,即使采用Si()N也难以继续减薄了(11~12A)。
三个电容器串联的电路示意图及计算方法，串联电路中各点的电流相等。
电流产生的热量跟电流、电阻和通电时问的定量关系:电流通过导体产生的热量与电流的平方成正比,与导体电阻成正比,与通电时间成正比。这个规律叫焦耳定律。
界面层的形成可以采用s的高温氧化(如ISSG工艺),或化学氧化来实现。
器件的电迁移率的降低,这是由于高乃介质的表面声子散射造成的。
NCP1396ADR2G因为高乃介质的高的乃值得益于其偶极性分子结构,但这种分子结构容易产生振动。
在和硅的界面上,偶极性分子的振动被传递到硅原子,造成晶格振动(声子)并进而影响电子的正常运动,导致迁移率的降低。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
在45nm技术节点采用高乃介质和金属栅极并进人量产, 引人多晶硅栅极后晶体管技术的最大变化。很快地,用于生产的高乃介质和金属栅极技术。
器件尺寸按摩尔定律的要求不断缩小,栅极介质的厚度不断减薄,但栅极的漏电流也随之增大。
在5.0nm以下,Sio2作为栅极介质所产生的漏电流已无法接受,这是由电子的直接隧穿效应造成的。对SiO2进行氮化,生成⒊ON可以使这一问题得以改善,但是在90nm节点后,由于栅极漏电流过大,即使采用Si()N也难以继续减薄了(11~12A)。
三个电容器串联的电路示意图及计算方法，串联电路中各点的电流相等。
电流产生的热量跟电流、电阻和通电时问的定量关系:电流通过导体产生的热量与电流的平方成正比,与导体电阻成正比,与通电时间成正比。这个规律叫焦耳定律。
界面层的形成可以采用s的高温氧化(如ISSG工艺),或化学氧化来实现。
器件的电迁移率的降低,这是由于高乃介质的表面声子散射造成的。
NCP1396ADR2G因为高乃介质的高的乃值得益于其偶极性分子结构,但这种分子结构容易产生振动。
在和硅的界面上,偶极性分子的振动被传递到硅原子,造成晶格振动(声子)并进而影响电子的正常运动,导致迁移率的降低。
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