角度检测应用中具备强大IC保护功能器件满足严格汽车应用需求

发布时间:2023/9/9 15:08:08 访问次数:302

独创的缺陷控制技术和筛选法，使可靠性得以确保。针对SiC制备过程中特有的1700℃高温工序,为了防止其发生特性劣化,开发了控制技术,确立了“全SiC”功率模块的量产体制。

内置最先进的SiC-SBD和SiC-MOSFET两种元件，与传统的Si-IGBT模块相比，可以将电力转换时的损耗降低85％。

另外，与IGBT模块相比，在10倍于其的频率－100kHz以上的高频环境下工作成为可能。该产品的额定电流为100A，通过高速开关和低损耗化，可以与额定电流为200～400A的Si-IGBT模块进行替换。

通过设计和工艺的改善，开发出散热性卓越的模块。替换传统的400A级别的Si-IGBT模块时，体积可减小约50％。

由于损耗低，因此发热少，可减小外置的冷却装置体积，从而非常有助于设备整体的小型化。

开关损耗降低85％，内置了最先进的SiC-SBD与SiC-MOSFET的“全SiC”模块，与传统的Si-IGBT相比，开关损耗可降低85％。

磁旋转编码器IC AS5163，这是角度检测应用中首款具备强大IC保护功能的器件，以满足严格的汽车应用需求。

产品在尺寸仅为17mm×17mm的208-ball BGA封装(球栅阵列封装)面积上实现了1GByte~4GByte的闪存容量，与将闪存和SSD控制器分别进行安装的情况相比，不仅可以缩小基板的尺寸，而且还可以降低安装成本。因此，该产品是最适合于组装在产业机器设备上的SSD设备。

内部闪存采用了使用寿命长的SLC闪存,加上GBDriver RS3强大的纠错功能、断电容错算法,数据统计功能以及自动刷新功能(AR)从而实现了信赖性高、使用寿命长的SSD设备。

单芯片电能计量AFE（模拟前端）ADE7816，它最多能监控6个电路的能耗及电能质量。

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