集电极电流和发射极电流集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制
发布时间:2023/4/7 12:59:25 访问次数:562
三种工作状态备注截止状态,发射结和集电结均为反偏放大状态,发射结正偏,集电结反偏饱和状态,发射结和集电结均为正偏.
截止状态:二极管的工作电流为零或很小时,即ri=o时,rc和IE也为零或很小。
放大状态:rc=ur,有基极电流就有与之相对应的集电极电流。
饱和状态:当基极电流增大时,集电极电流不再增大许多,当基极电流进一步增大时,集电极电流几乎不再增大。
共射极放大电路 电压和电流增益都大于1,输入电阻在三种组态中居中,输出电阻与集电极电阻有很大关系。适用于低频情况下,作多级放大电路的中间级。
共集电极放大电路 只有电流放大作用,没有电压放大.
电流特性放大倍数描述,rl=0或很j或rE为零或很小,因为r=ur,利用电流为零或很小的特征,可以判断三极管已处于截止状态,集电极与发射极之间电阻很大.
rc=u
rF=(1+u)r
有一个基极电流就有一一个对应的集电极电流和发射极电流,基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制.
基极电流大,共内阻小各电极电流均很大,基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数,很小,甚至小于1集电极与发射之间内阻很小。
输出特性曲线,射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置,晶体管工作于截止状态。三极管相当于工作于断开状态,此时三极管基射电压Lr:E小于死区电压。rc接近零的区域,相当r:=o的曲线下方。
饱和区 当⒒E≤U:E时,晶体管工作于饱和状态。在饱和区,uI:≥rc,发射结处于正向偏置,集电结也处于正偏。深度饱和时,硅管UcFs≈0,3V,锗管UcEs≈0.1V。UcE很小,=极管相当于工作于短接状态,一般UcE≤U:E,此时三极管的压降称为饱和压降。
三极管在电路中的工作状态,三极管有截止、放大、饱和三种工作状态,三种工作状态。当三极管用于不同目的时,其工作状态也是不同的。三极管的三种接法,二种组态对照。
三种工作状态备注截止状态,发射结和集电结均为反偏放大状态,发射结正偏,集电结反偏饱和状态,发射结和集电结均为正偏.
截止状态:二极管的工作电流为零或很小时,即ri=o时,rc和IE也为零或很小。
放大状态:rc=ur,有基极电流就有与之相对应的集电极电流。
饱和状态:当基极电流增大时,集电极电流不再增大许多,当基极电流进一步增大时,集电极电流几乎不再增大。
共射极放大电路 电压和电流增益都大于1,输入电阻在三种组态中居中,输出电阻与集电极电阻有很大关系。适用于低频情况下,作多级放大电路的中间级。
共集电极放大电路 只有电流放大作用,没有电压放大.
电流特性放大倍数描述,rl=0或很j或rE为零或很小,因为r=ur,利用电流为零或很小的特征,可以判断三极管已处于截止状态,集电极与发射极之间电阻很大.
rc=u
rF=(1+u)r
有一个基极电流就有一一个对应的集电极电流和发射极电流,基极电流能有效地控制集电极电流和发射极电流集电极与发射极之间内阻受基极电流大小控制.
基极电流大,共内阻小各电极电流均很大,基极电流已无法控制集电极电流和发射极电流电流放大倍数,很小,甚至小于1集电极与发射之间内阻很小。
输出特性曲线,射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置,晶体管工作于截止状态。三极管相当于工作于断开状态,此时三极管基射电压Lr:E小于死区电压。rc接近零的区域,相当r:=o的曲线下方。
饱和区 当⒒E≤U:E时,晶体管工作于饱和状态。在饱和区,uI:≥rc,发射结处于正向偏置,集电结也处于正偏。深度饱和时,硅管UcFs≈0,3V,锗管UcEs≈0.1V。UcE很小,=极管相当于工作于短接状态,一般UcE≤U:E,此时三极管的压降称为饱和压降。
三极管在电路中的工作状态,三极管有截止、放大、饱和三种工作状态,三种工作状态。当三极管用于不同目的时,其工作状态也是不同的。三极管的三种接法,二种组态对照。