将微发光二极体全部焊接至TFT基板上，每颗超微LED晶体的体积小于30纳米，如以1080p萤幕像素点数量高达207万，4K萤幕就要高达829万颗.

业界采用巨量转移技术解决焊接与失败率，不过当前Micro LED良率依旧很低，就算生产成功，成本价格过于昂贵，也并非是厂商和消费者负担得起，外界预计最快在2027 年才有可能让Micro LED技术普及、提高良率和降低成本。

至于Micro LED优点有高亮度、高对比、高解析度、高可靠度及反应时间快、更节能、成本更低动温更广等特性，在功耗上比起LCD和OLED更低，亮度也是采用自发光显示，Micro LED亮度也会比OLED高出30%，比较适合用于车用、工业与军事领域。

ADMV4540还集成了小数N锁相环和低相位噪声VCO，可为器件的两个双平衡I/Q混频器生成必要的片内局部振荡器信号，使LNA输出下变频至基带。

该解调器在信道之间具有出色的匹配，并具有较高的无杂散动态范围(SFDR)总增益，非常适合具有密集卫星星座、多重载波和附近有干扰源的卫星通信系统。

针对开发用途，分销ADMV4540-EVALZ评估板，该板预装了ADMV4540解调器和各种必需的外部元件。

它提供紧凑的解决方案，在宽输入范围内可实现1.5A的连续输出电流，具有极好的负载和线性调整率。同步操作模式可确保高效率，而电流控制模式提供快速瞬态响应，并使环路更易稳定。其他保护功能包括过流保护(OCP)和过温关断保护(TSD)。

此器件最大限度地减少了现有外部元器件的使用，采用节省空间的QFN-13(2.5mmx3mm)封装和 TSOT23-8封装。

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