电流变化di/dt作用于门极的情况，因为门极回路里包含有电感和G、E之间的电容，将构成一个二阶电路。一般正常情况下，门极电阻Rg>2√(L⁄C)。但是如果这时候使用了第一种方案中的米勒钳位电路，那么会形成一个低阻尼的二阶回路，从而是门极的电压被抬得更高。

由于受模块内部发射极绑定线的影响，上面的测量都是在外部端子上的，内部G、E上到底如何呢？我们将借助仿真来展现。仿真电路测试点和测得的内部电压波形。可以看见内部门极电容上的电压和外部测得的刚好是相反的。

波形来说明门极产生的寄生电压现象。仿真在半桥电路下进行，其中绿色的第4通道，红色的第2通道以及蓝色的第3通道分别是开通IGBT的门极电压、IC电流以及VCE电压。

黄色的第1通道是同一桥臂上对管的门极电压，可以看到有两个正向的包和一个负向的坑。其中第1个包和第1个坑就是由于发射极的电感引起的，在时序正好对应了两次电流的变化。

而第2个包则是由dvCE/dt带来的寄生影响，可以通过米勒钳位来抑制，也可以用关断负压解决。但对于前两个尖峰，用米勒钳位效可能会使峰值更高。

无米勒钳位和有米勒钳位的波形，从橘色的波形表现来看，用米勒钳位对解决米勒导通非常有效，但对寄生电感引起的门极电压尖峰则效果不佳。特别是第2个向下的峰值很重要，我们接着分析。

由于负载特性的不同像光伏和储能绝大数都时功率因数为+/-1，其窄脉冲会在靠近电流零点附近出现，像无功发生器SVG，有源滤波APF功率因数为0，其窄脉冲会出现在最大负载电流附近，实际应用中电流过零点附近更容易出现输出波形上的高频振荡，EMI问题随之而来。

在半桥电路中，IGBT关断脉冲toff对应的就是FWD开通时间ton，当FWD开通时间小于2us时候，在额定电流450A时，FWD反向电流峰值会增大。当toff大于2us时，FWD反向恢复峰值电流基本不变。

鉴于ton=3us时候，波形高频振荡更加剧烈， 并超出了二极管安全工作区，从二极管FWD角度看导通时间不要小于3us。

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