以大功率模块IGBT4 PrimePACK™ FF1000R17IE4为测试对象，在Vce=800V,Ic=500A,Rg=1.7Ω Vge=+/-15V,Ta=25℃条件下ton变化时器件关断特性，红色为集电极Ic，蓝色为IGBT两端电压Vce，绿色为驱动电压Vge。脉冲ton从2us减小到1.3us看这个电压尖峰Vcep的变化，直观的给出测试波形渐进看变化过程，尤其圈中所示。

当ton<=1.3us时，IGBT此时已经处于线性区，没有完全导通，此时开关损耗会很大，关断电流Ic出现突变引起大di/dt，IGBT关断会出现高频振荡。

在当Vce和电流Ic越高时对关断过程影响越大，更容易出现电流突变现象。

在Vce=700V，Ic=900A时ton=1us和20us的对比测试波形。从实际测试看，该模块脉冲宽度在ton=1us已经开始振荡，电压尖峰Vcep比ton=20us要高出80V。因此，建议不要最小脉冲时间不要小于1us。

小电流条件低于1/10*Ic下ton对关断电压过冲影响可以忽略。当电流增加到额定电流450A，甚至2*Ic电流900A，电压过冲随ton宽度变化就非常明显。为了测试极端条件下工况的特性表现，3倍额定电流为1350A，电压尖峰已经超过阻断电压，被芯片嵌在一定电压水平，与ton宽度无关。

IGBT是一个受门极电压控制开关的器件，只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关，在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。

电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流灌入门极，使门极电压抬升，可能导致原本处于关断状态的IGBT开通。电流变化di/dt可以通过发射极和驱动回路共用的电感产生电压，影响门极。