在高压3.3kV IGBT以上规格书中已经对FWD正向导通时间ton进行了明确定义和需求，以2400A/3.3kV HE3为例如下，其已经明确给出最小二极管导通时间10us作为限制，这主要是大功率应用中系统回路杂散电感比较大，开关时间比较长，在器件开通过程中瞬时容易超过二极管最大允许功耗PRQM。

脉冲宽度ton对IGBT关断小电流（大约1/10*Ic）时影响较小，实际可以忽略。

IGBT关断大电流时候对脉冲宽度ton有一定依赖性，ton越小电压尖峰V越高，且关断电流拖尾会突变，发生高频振荡。

用IGBT5 PrimePACK™3+FF1800R17IP5来观察大功率二极管特性，尤其小电流条件下随ton变化，下面一排展示在VR=900V,1200V条件下，在小电流IF=20A条件下两个波形的直接对比，很明显在ton=3us时候，示波器已经hold不住这个高频振荡的幅值。这也引证在大功率器件应用中负载电流过零点的高频振荡和FWD短时反向恢复过程有紧密关系。

直观波形看完后，用实际数据来进一步量化对比这个过程，二极管的dv/dt和di/dt随toff变化，越小FWD导通时间，其反向特性会变快。当FWD两端的VR越高时，随着二极管导通脉冲变窄，其二极管反向恢复速度会加快.

实线是用了miller功能的，虚线是没有用miller功能的，峰值更大，增加了寄生导通的风险。看来米勒钳位无法解决di/dt引起的寄生导通问题。这种情况下，只能仰仗负压关断，或者增大Rg来放慢di/dt了。

在实际产品中，特别是小功率的三相桥模块产品，基本发射极都不是Kelvin结构，连接结构复杂，,非常容易出现di/dt引起的寄生导通现象。好在这种小模块使用的时候都会加上不小的门极电阻，从而限制了开关斜率。而大功率模块一般都会有辅助Emitter脚，驱动回路里不会出现大电流叠加。

对于米勒电流引起的寄生导通，在0V关断的情况下，可以使用米勒钳位来抑制。当出现非米勒电流引起的寄生导通时，如果不想减慢开关速度增加损耗的话，加个负压会是一个极其便利的手段。

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