位置:51电子网 » 技术资料 » 嵌入式系统

1500VDC的I/O隔离电压DPAK封装优异的热性能和电子性能

发布时间:2021/12/27 12:52:00 访问次数:483

一个新的表面贴装隔离型1W DC/DC 转换器系列,共18个型号。TES-1系列产品由Tracopower公司生产,专为最新的无铅焊接工艺而设计。

该系列的18个型号输入电压为5、12或24VDC,单输出和双输出型的电压为5至15VDC。具有一个1500VDC的I/O隔离电压,工作温度为-40 至 +85度。

TES-1系列占位面积小,可为许多应用提供理想的解决方案,其中包括地环消除、数字接口和分布式电源系统中的电压隔离。这些转换器采用新型封装设计,采用现代再流焊工艺可满足更高温度要求,完全符合IPC J-STD-020D焊接标准。

9款全新32位All Flash微控制器(MCU)。这些微控制器具有内置以太网接口和嵌入式闪存,适用于远程控制及监控工业设备和建筑管理系统。新产品包括6个128引脚V850ES/JH3-E型,3个144引脚V850ES/JJ3-E型。

新产品具有以下功能:集成了以太网媒体存取控制器(MAC)通道,省去外部以太网控制器.

多达512KB闪存和多达124KB随机存取存储器(RAM),可单独使用片上存储器运行网络软件;外设功能包括全速UAB2.0接口和CAN接口。

汽车应用中的低电压PowerMOSFET推出新封装形式HSON-8。

HSON-8封装尺寸为6.0毫米x5.2毫米 x1.45毫米,与SOP-8封装的占位面积相同。HSON-8封装与DPAK (TO-252)封装相比,节省一半安装空间,同时兼具DPAK封装优异的热性能和电子性能。

HSON-8封装的最大载流能力为75A。配合NEC电子的UMOS-4沟道技术,N沟道器件的RDS(on)为5.1 mΩ,VDSS = 40 V (NP75N04UG),P沟道器件(NP75P03*DG)的RDS(on)为6.2 mΩ,VDSS = -30 V。击穿电压为-30 V、40 V和60 V的N沟道和P沟道PowerMOSFET目前正在研发阶段。

(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

一个新的表面贴装隔离型1W DC/DC 转换器系列,共18个型号。TES-1系列产品由Tracopower公司生产,专为最新的无铅焊接工艺而设计。

该系列的18个型号输入电压为5、12或24VDC,单输出和双输出型的电压为5至15VDC。具有一个1500VDC的I/O隔离电压,工作温度为-40 至 +85度。

TES-1系列占位面积小,可为许多应用提供理想的解决方案,其中包括地环消除、数字接口和分布式电源系统中的电压隔离。这些转换器采用新型封装设计,采用现代再流焊工艺可满足更高温度要求,完全符合IPC J-STD-020D焊接标准。

9款全新32位All Flash微控制器(MCU)。这些微控制器具有内置以太网接口和嵌入式闪存,适用于远程控制及监控工业设备和建筑管理系统。新产品包括6个128引脚V850ES/JH3-E型,3个144引脚V850ES/JJ3-E型。

新产品具有以下功能:集成了以太网媒体存取控制器(MAC)通道,省去外部以太网控制器.

多达512KB闪存和多达124KB随机存取存储器(RAM),可单独使用片上存储器运行网络软件;外设功能包括全速UAB2.0接口和CAN接口。

汽车应用中的低电压PowerMOSFET推出新封装形式HSON-8。

HSON-8封装尺寸为6.0毫米x5.2毫米 x1.45毫米,与SOP-8封装的占位面积相同。HSON-8封装与DPAK (TO-252)封装相比,节省一半安装空间,同时兼具DPAK封装优异的热性能和电子性能。

HSON-8封装的最大载流能力为75A。配合NEC电子的UMOS-4沟道技术,N沟道器件的RDS(on)为5.1 mΩ,VDSS = 40 V (NP75N04UG),P沟道器件(NP75P03*DG)的RDS(on)为6.2 mΩ,VDSS = -30 V。击穿电压为-30 V、40 V和60 V的N沟道和P沟道PowerMOSFET目前正在研发阶段。

(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

热门点击

 

推荐技术资料

DFRobot—玩的就是
    如果说新车间的特点是“灵动”,FQPF12N60C那么... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!