功率半导体是实现电能转换的核心器件，能够对电压电流的运用进行有效控制，通过开关状态的变化，实现逆变、整流、变频等多种功能，控制对电子电力系统的能量输出，将整个电子电力系统的能耗控制在最低范围内，从而达到对能量的合理管理，降低能耗，减少碳排放。

功率半导体器件的不同结构决定着其不同的开关频率、功率水平和击穿场强，因此也决定着不同类型功率半导体的使用场景。

晶闸管、IGBT、MOSFET是当前市面上最常见的三类功率半导体器件。

然而，随着技术节点缩小到3nm或更小，FinFET器件将面临如静电完整性、不可忽视的短通道效应、器件性能下降和工艺变异性增大，为了满足性能和沟道控制特性，垂直堆叠的GAA nanosheet晶体管（以下简称NS晶体管以及NS沟道）结构一直被视为最有应用前景的新型器件结构。

NS沟道释放后会在子鳍顶部形成一个寄生的段沟道平面FET或一个偏扁平的FinFET。因此，由子鳍引起的寄生沟道效应将导致电特性的退化，这已成为一个不可避免的工艺难题挑战。

据三星电子推测，将于明年上市的Micro LED产品的LTPS TFT生产费用为，89英寸产品(49个TFT)为3500美元至4000美元，101英寸产品(64个)为4500美元至5000美元出头，114英寸产品(81个)为5500美元至6000美元左右。

但是，若如业界推测，LTPS TFT的制造成本超过三星电子的预测时，计划有可能会出现差池。

据悉，Micro LED用LTPS TFT制程所需的光罩为24道。由于晶体管和排线增加，需要很多光罩。六代OLED一般需要11至12道光罩。光罩数越多，其技术难度就越高。