TC72采用8管脚3x3毫米DFN和MSOP封装，而TC77則采用微型5管脚SOT-23和8管脚SOIC封装，有助设计人员节省大量主板面积，提高温度传感功能。

DFN封装面积小，较标准封装类型具有更佳的热阻抗，向设计人员提供更好的生产能力，减少传统侧边管脚数量。新推出的器件在占用主板面积最小化的基础上节省了更多的功耗，可以同其它数字集成电路和各种单片机进行通信。

此外，新器件能够非常精确地测量温度，在某特定温度范围内最大温度误差仅为1摄氏度。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 230 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 27 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 51 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 77 ns

典型接通延迟时间: 19 ns

零件号别名: SP000219065 IPB100N04S2L03ATMA1

单位重量: 4 g

STDRIVEG600的dV/dt为±200V/ns,确保栅极控制在恶劣电气环境中具有较高的可靠性。

逻辑输入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信号，方便连接主微控制器或 DSP处理器。高边电路耐受电压高达 600V，可用于高压总线高达 500V 的应用领域。

驱动器的输出灌电流/拉电流为5.5A/6A，并提供独立的导通和关断引脚，让设计人员可以选择适合的栅极控制方式。

此外，驱动器还集成一个自举电路，可大限度降低物料清单成本，简化电路板布局。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）