有源层所制成薄膜晶体管(TFT)电荷迁移率超过1cm2/Vs
发布时间:2021/10/3 23:05:50 访问次数:404
Infineon所演示的几种器件有:采用有机半导体分子作为有源层所制成的薄膜晶体管(TFT),它的电荷迁移率超过1 cm2/ Vs.
和硅元件一样,这些有机晶体管也有几层:衬底,栅电极,栅绝缘体,源和漏接触,有机半导体(如并五苯或替代品低聚合噻吩(oligothiophene))以及保护的钝化层.
新有机材料具有高密度存储器的潜能.众多的有机和无机材料已用作非挥发性存储器.有机材料的集成简单,单元结构简单而且尺寸很小.
制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 产品种类:开关稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOT-23-8 拓扑结构:Buck 输出电压:800 mV to 16 V 输出电流:3 A 输出端数量:1 Output 最大输入电压:16 V 最小输入电压:4.5 V 开关频率:500 kHz 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:Voltage Regulators 类型:Synchronous Step-Down Converter 商标:Monolithic Power Systems (MPS) 产品类型:Switching Voltage Regulators 工厂包装数量3000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:6.300 mg
引脚兼容主流霍尔电流传感器，支持5V和3.3V供电，且有直流输入电压版本、交流输入电压版本、可选比例输出电压版本和固定电压输出版本以满足不同使用场景。
采用140nm规则所制造的256M DDR DRAM测试样品表明有高的成品率.更进一步的证明显示,DRAM能降低到70nm以下.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Infineon所演示的几种器件有:采用有机半导体分子作为有源层所制成的薄膜晶体管(TFT),它的电荷迁移率超过1 cm2/ Vs.
和硅元件一样,这些有机晶体管也有几层:衬底,栅电极,栅绝缘体,源和漏接触,有机半导体(如并五苯或替代品低聚合噻吩(oligothiophene))以及保护的钝化层.
新有机材料具有高密度存储器的潜能.众多的有机和无机材料已用作非挥发性存储器.有机材料的集成简单,单元结构简单而且尺寸很小.
制造商:Monolithic Power Systems (MPS) 产品种类:开关稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOT-23-8 拓扑结构:Buck 输出电压:800 mV to 16 V 输出电流:3 A 输出端数量:1 Output 最大输入电压:16 V 最小输入电压:4.5 V 开关频率:500 kHz 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:Voltage Regulators 类型:Synchronous Step-Down Converter 商标:Monolithic Power Systems (MPS) 产品类型:Switching Voltage Regulators 工厂包装数量3000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:6.300 mg
引脚兼容主流霍尔电流传感器，支持5V和3.3V供电，且有直流输入电压版本、交流输入电压版本、可选比例输出电压版本和固定电压输出版本以满足不同使用场景。
采用140nm规则所制造的256M DDR DRAM测试样品表明有高的成品率.更进一步的证明显示,DRAM能降低到70nm以下.
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