宽体16脚版本的最大隔离工作电压大于1550Vpk限制集成方法
发布时间:2021/10/3 23:08:50 访问次数:113
新聚合物材料具有创新的DRAM集成概念.传统的硅集成是基于少数几种材料如硅,二氧化硅和氮化硅,限制了集成方法.
用这种技术所制造的存储器单元有很好的可靠性数据.第一次的数据保存时间超过一年,而且它的尺寸可小于20nm.
这种有机存储材料是很吸引人的非挥发性存储器的侯选材料.
制造商:Everspin Technologies产品种类:磁阻随机存取存储器 (MRAM)RoHS: 封装 / 箱体:TSOP-44接口类型:Parallel存储容量:4 Mbit组织:256 k x 16数据总线宽度:16 bit访问时间:35 ns电源电压-最小:3 V电源电压-最大:3.6 V工作电源电流:105 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C系列:封装:Tray商标:Everspin Technologies安装风格:SMD/SMT湿度敏感性:Yes产品类型:MRAM135子类别:Memory & Data Storage单位重量:13.628 g
NSM201X系列产品主要特点包括：
NSM201X系列具备高灵敏度，低零点误差及良好的线性度（非线性度正负0.2%）等特性，能够降低器件的整体输出误差，在工作温度范围内，最大测量误差±1.5%。产品目前已经通过UL62368、IEC62368、TUV等认证。
宽体16脚版本的最大隔离工作电压大于1550Vpk、绝缘性能为1min耐压为5000Vrms、浪涌绝缘耐压大于10kV。
窄体8脚封装支持600Vpk的工作电压，绝缘性能为1min耐压为3000Vrms的，浪涌绝缘耐压大于6kV。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新聚合物材料具有创新的DRAM集成概念.传统的硅集成是基于少数几种材料如硅,二氧化硅和氮化硅,限制了集成方法.
用这种技术所制造的存储器单元有很好的可靠性数据.第一次的数据保存时间超过一年,而且它的尺寸可小于20nm.
这种有机存储材料是很吸引人的非挥发性存储器的侯选材料.
制造商:Everspin Technologies产品种类:磁阻随机存取存储器 (MRAM)RoHS: 封装 / 箱体:TSOP-44接口类型:Parallel存储容量:4 Mbit组织:256 k x 16数据总线宽度:16 bit访问时间:35 ns电源电压-最小:3 V电源电压-最大:3.6 V工作电源电流:105 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C系列:封装:Tray商标:Everspin Technologies安装风格:SMD/SMT湿度敏感性:Yes产品类型:MRAM135子类别:Memory & Data Storage单位重量:13.628 g
NSM201X系列产品主要特点包括：
NSM201X系列具备高灵敏度，低零点误差及良好的线性度（非线性度正负0.2%）等特性，能够降低器件的整体输出误差，在工作温度范围内，最大测量误差±1.5%。产品目前已经通过UL62368、IEC62368、TUV等认证。
宽体16脚版本的最大隔离工作电压大于1550Vpk、绝缘性能为1min耐压为5000Vrms、浪涌绝缘耐压大于10kV。
窄体8脚封装支持600Vpk的工作电压，绝缘性能为1min耐压为3000Vrms的，浪涌绝缘耐压大于6kV。
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