新型AS585xB数字读取IC是16位、256通道的电荷数字转换器，因极低的噪声而闻名，适用于静态和动态数字X射线扫描仪、数字放射显影、乳腺X射线、荧光检查、介入成像以及工业无损检测（NDT）系统，可以生成清晰、详细的图像。

AS5850A读取IC的补充，扩展了艾迈斯半导体独特的医学和工业图像传感解决方案组合，这些解决方案能够提供出色精度、高采集速度、低噪声和超低功耗。

这些特性意味着它们不但适用于更高性能的新型IGZO探测器，还兼容现有的TFT平板技术。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 36 A

Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 22 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power Transistor

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 29 S

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 22 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

零件号别名: SP000676410 BSC32N2NS3GXT BSC320N20NS3GATMA1

单位重量: 100 mg

CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度双向电动汽车车载充电机参考设计,采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A双路隔离栅极驱动器,以得到大功率密度电动汽车车载充电机(OBC).

参考设计采用Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高频开关性能,得到小型和轻的成本效益的系统.

峰值效率为96.5%,功率密度为53 W/in^3或3 KW/L.外形尺寸为220mmx180mmx50mm.参考设计采用通用单相输入电压,90V和265V之间.

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