AS585xB设备凭借其超低噪声、高带宽和低功耗，使我们的客户能够生成质量非常高的X射线图像。

前端AC/DC PFC采用CCM图腾柱双向拓扑,工作频率67kHz,双向DC/DC CLLC谐振转换器,工作频率148-300 KHz.

输出电压250 V-450 V DC,充电模式的输出电流为18A,最大输出功率6.6kW.

恒流,恒压或恒功率模式,独特的热沉设计能把热量从MOSFET,变压器和电感中散发出去.主要用在汽车车载充电器.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 21 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 21 S

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 24 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

零件号别名: BSC265N10LSF G SP000379618

单位重量: 120.700 mg

ISO6721-Q1是高性能双路数字隔离器,需要高达5000 VRMS (DWV封装)和3000 VRMS(D封装)隔离额度UL 1577认证的应用.

ISO6720-Q1器件在同一方向有两路,而ISO6721-Q1有两个隔离通路,一路在每个方向.

器件还获得VDE, TUV, CSA和 CQC认证.ISO672x-Q1具有在低功耗时的高电磁免疫度和低辐射性,同时隔离CMOS或LVCMOS数字I/O.

每个隔离通路有逻辑输入和输出缓冲器,它们由TI的双层容性二氧化硅(SiO2)绝缘层隔离.

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）