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FCCM或自动跳跃Eco模式以得到高的轻负载效率

发布时间:2021/4/16 12:23:11 访问次数:1670

器件集成了7.7-mΩ和2.4-mΩ MOSFET,支持20A连续输出电流,支持所有陶瓷输出电容.

可选择FCCM或自动跳跃Eco模式以得到高的轻负载效率,引脚选择开关频率600 kHz, 800kHz和1 MHz,可编电流限制,差分遥控检测可得到高输出精度,外接基准输入用来跟踪,具有预偏压起动功能,开漏极功率良好输出,打嗝用于OC和UV故障,锁定关闭用于OV故障.器件采用4mmx3mm 21引脚QFN封装.

器件集成了存储器保护单元(MPU),嵌入高速存储器(带读保护,写保护,专用代码保护和可加密区的多达128KB闪存和36KB SRAM),DMA和各种系统功能,增强I/O和外设.

制造商:Nexperia 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-6 晶体管极性:NPN, PNP 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:65 V 集电极—基极电压 VCBO:80 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 最大直流电集电极电流:200 mA Pd-功率耗散:200 mW 增益带宽产品fT:100 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:200 at 2 mA, 5 V 高度:1 mm 长度:2.2 mm 技术:Si 宽度:1.35 mm 商标:Nexperia 集电极连续电流:100 mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:270 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 零件号别名:934063471115 单位重量:1 g

器件的1/f噪音小于20 μVRMS (100 Hz到100 kHz),磁珠滤波后的输出波纹小于10 μVRMS, PSRR大于65dB(高达100kHz).

输入电压范围3.0V到17V,输出电压从0.8V到5.5V,集成了57-mΩ/20-mΩ RDSon,输出电压精度±1%.

器件具有精密使能,允许用户定义欠压锁住,准确的顺序,可调软起动,电源良好输出,工作结温-40C 到 150C, 2.0-mm x 2.0-mm . 5mm间距的QFN封装.

主要用在通信基础设备,测试和测量,航空和国防以及医疗电子.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

器件集成了7.7-mΩ和2.4-mΩ MOSFET,支持20A连续输出电流,支持所有陶瓷输出电容.

可选择FCCM或自动跳跃Eco模式以得到高的轻负载效率,引脚选择开关频率600 kHz, 800kHz和1 MHz,可编电流限制,差分遥控检测可得到高输出精度,外接基准输入用来跟踪,具有预偏压起动功能,开漏极功率良好输出,打嗝用于OC和UV故障,锁定关闭用于OV故障.器件采用4mmx3mm 21引脚QFN封装.

器件集成了存储器保护单元(MPU),嵌入高速存储器(带读保护,写保护,专用代码保护和可加密区的多达128KB闪存和36KB SRAM),DMA和各种系统功能,增强I/O和外设.

制造商:Nexperia 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-6 晶体管极性:NPN, PNP 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:65 V 集电极—基极电压 VCBO:80 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 最大直流电集电极电流:200 mA Pd-功率耗散:200 mW 增益带宽产品fT:100 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:200 at 2 mA, 5 V 高度:1 mm 长度:2.2 mm 技术:Si 宽度:1.35 mm 商标:Nexperia 集电极连续电流:100 mA 直流集电极/Base Gain hfe Min:270 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 零件号别名:934063471115 单位重量:1 g

器件的1/f噪音小于20 μVRMS (100 Hz到100 kHz),磁珠滤波后的输出波纹小于10 μVRMS, PSRR大于65dB(高达100kHz).

输入电压范围3.0V到17V,输出电压从0.8V到5.5V,集成了57-mΩ/20-mΩ RDSon,输出电压精度±1%.

器件具有精密使能,允许用户定义欠压锁住,准确的顺序,可调软起动,电源良好输出,工作结温-40C 到 150C, 2.0-mm x 2.0-mm . 5mm间距的QFN封装.

主要用在通信基础设备,测试和测量,航空和国防以及医疗电子.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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