LST压敏电阻系列。采用Littelfuse开发的专有热保护压敏电阻技术（TMOV），这款新型压敏电阻融合了内置热断开功能和电弧屏蔽。

较宽的工作电压范围：50 kA型号高达690 Vac，75 kA型号高达550 Vac。

与市面上的其他技术相比，LST压敏电阻具有许多优势。通过将LST集成到最新设计中，不仅能具有较宽的工作电压范围、较高的浪涌电流额定值，以及对微动开关选件进行补充，您的SPD还将变得更加可靠，满足客户应用的保护要求。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TISON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms, 4.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 5 nC, 23 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 42 S, 85 S

下降时间: 2.4 ns, 4.1 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3.6 ns, 5.6 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 13 ns, 28 ns

典型接通延迟时间: 2.4 ns, 5.6 ns

零件号别名: SP000998052 BSC0910NDIATMA1

单位重量: 101.800 mg

SESIP是通用标准方法（ISO 15408-3）的优化版本，用于评估IoT组件和联网平台。

SESIP定义安全功能要求（SFR）目录，产品开发者可使用该目录构建其安全设备，并根据其特定的威胁模型和用例进行适当扩展。

SESIP还合并且完善通用标准安全保证要求（SAR），包括对ALC_FLR.2缺陷报告程序的要求。

瑞萨电子通过PSIRT（Product Security Incident Response Team,产品安全事件响应团队）流程和公开网页渠道以解决这一问题。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）