超低内阻的高压MOS产品需求，在常规TO-247封装不能满足的情况下，电源工程师往往会使用诸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大体积封装来代替。

这种超大封装不仅不通用，且成本较高。

顺应趋势，维安经过多年的SJ-MOS技术研发创新，开发出行业内超低导通电阻产品——WMJ120N60CM，采用常规 TO-247封装的600V高压SJ-MOS，导通电阻Rdson低至16.5mΩ，能够有效提升电源功率密度，解决应用痛点。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 20 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

零件号别名: BSZ084N08NS5 SP001227056

单位重量: 36.670 mg

NJW4210内置了与USB控制器联动切换到与受电侧设备对应的输出电压的功能，因此不需为每一个输出电压准备多个稳压器，只需一个芯片即可覆盖USB PD的供给电源。

USB PD 2.0 ver.1.2以后的供给电源规格概要PD功率～15W～27W～45W～60W～100W最大输出电压/电流5V/3A9V/3A15V/3A20V/3A20V/5A※※ 使用5A连接线时。

单芯片支持5V/9V/15V/20V输出电压，供电侧设备的内部电源电压是多种多样的，为了对应USB PD的各个输出电压，有时会出现降压、升压混合的复杂电源构成。

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