∑-△型ADC利用高抽样率和数字信号处理技术，将抽样，量化、数字信号处理融为了一体，从而获得了高精度的ADC，目前可达24位，主要应用于高精度数据采集特别是数字音响系统、多媒体、地簇勘探仪器、声纳等电子测量领域。

采用何种电路结构，若要提高转换速度。就要以较低的分辨宰和较大的功耗来作为代价:而要获得较高的分辨率，则要牺牲转换速度和功耗;为了降低功耗，却又得不到较高的速度和分辨率。因此在系统应用中，必须根据实际需要来选择适当电路结构和技术指标的ADC。

产品种类: 音频放大器

RoHS: 详细信息

系列: TPA4411

产品: Headphone Amplifiers

类: Class-AB

输出功率: 80 mW

安装风格: SMD/SMT

类型: 2-Channel Stereo

封装 / 箱体: QFN-20

音频 - 负载阻抗: 16 Ohms

THD + 噪声: 0.05 %

电源电压-最大: 4.5 V

电源电压-最小: 1.8 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

描述/功能: Headphone

特点: Fixed Gain

高度: 0.73 mm

输入类型: Single

长度: 4 mm

输出类型: 2-Channel Stereo

电源类型: Single

宽度: 4 mm

商标: Texas Instruments

增益: 63.52 dB

通道数量: 2 Channel

电源电流—最大值: 10 mA

开发套件: TPA4411EVM

湿度敏感性: Yes

工作电源电流: 8 mA

工作电源电压: 1.8 V to 4.5 V

输出信号类型: Differential

Pd-功率耗散: 3450 mW

产品类型: Audio Amplifiers

PSRR - 电源抑制比: 80 dB

工厂包装数量: 3000

子类别: Audio ICs

单位重量: 38.100 mg

DRAM较其它内存类型的一个优势是它能够以IC(集成电路)上每个内存单元更少的电路实现。DRAM 的内存单元基于电容器上贮存的电荷。典型的DRAM 单元使用一个电容器及一个或三个FET(场效应晶体管)制成。典型的SRAM (静态随机访问内存)内存单元采取六个FET 器件，降低了相同尺寸时每个IC 的内存单元数量。与DRAM 相比，SRAM 使用起来更简便，接口更容易，数据访问时间更快。

DRAM核心结构由多个内存单元组成，这些内存单元分成由行和列组成的两维阵列。访问内存单元需要两步。先寻找某个行的地址，然后在选定行中寻找特定列的地址。先在DRAM IC 内部读取整个行，然后列地址选择DRAM IC I/O(输入/ 输出)针脚要读取或要写入该行的哪一列。

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