闪存的基本单元电路对ADC传递函数的影响
发布时间:2020/12/19 14:31:05 访问次数:522
实际的ADC在许多方面与理想的ADC有偏差。折合到输入端的噪声肯定不是理想情况下会出现的,它对ADC整体传递函数的影响。随着模拟输入电压提高,保持恒定的输出代码,直至达到跃迁区,此时输出代码即刻跳变为下一个值,并且保持该值,直至达到下一个跃迁区。理想ADC的"代码跃迁"噪声为0,跃迁区宽度也等于0.实际的ADC具有一定量的代码跃迁噪声,因此跃迁区宽度取决于折合到输入端噪声的量。跃迁噪声的宽度约为1个LSB(最低有效位)峰峰值。
跃迁噪声(折合到输入端噪声)及其对ADC传递函数的影响.
制造商: Texas Instruments
产品种类: 音频放大器
RoHS: 详细信息
系列: TPA4411
产品: Headphone Amplifiers
类: Class-AB
输出功率: 80 mW
安装风格: SMD/SMT
类型: 2-Channel Stereo
封装 / 箱体: QFN-20
音频 - 负载阻抗: 16 Ohms
THD + 噪声: 0.05 %
电源电压-最大: 4.5 V
电源电压-最小: 1.8 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
描述/功能: Headphone
特点: Fixed Gain
高度: 0.73 mm
输入类型: Single
长度: 4 mm
输出类型: 2-Channel Stereo
电源类型: Single
宽度: 4 mm
商标: Texas Instruments
增益: 63.52 dB
通道数量: 2 Channel
电源电流—最大值: 10 mA
开发套件: TPA4411EVM
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 8 mA
工作电源电压: 1.8 V to 4.5 V
输出信号类型: Differential
Pd-功率耗散: 3450 mW
产品类型: Audio Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 80 dB
工厂包装数量: 3000
子类别: Audio ICs
单位重量: 38.100 mg

可给第二级浮空栅引出一个电极,使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压,第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应,使电子注入第一浮空栅极,即编程写入。若使VG为负电压,强使第一浮空栅极的电子散失,即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加正电压,使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与漏极之间的隧道效应,将注入到浮空栅的负电荷吸引到源极。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
实际的ADC在许多方面与理想的ADC有偏差。折合到输入端的噪声肯定不是理想情况下会出现的,它对ADC整体传递函数的影响。随着模拟输入电压提高,保持恒定的输出代码,直至达到跃迁区,此时输出代码即刻跳变为下一个值,并且保持该值,直至达到下一个跃迁区。理想ADC的"代码跃迁"噪声为0,跃迁区宽度也等于0.实际的ADC具有一定量的代码跃迁噪声,因此跃迁区宽度取决于折合到输入端噪声的量。跃迁噪声的宽度约为1个LSB(最低有效位)峰峰值。
跃迁噪声(折合到输入端噪声)及其对ADC传递函数的影响.
制造商: Texas Instruments
产品种类: 音频放大器
RoHS: 详细信息
系列: TPA4411
产品: Headphone Amplifiers
类: Class-AB
输出功率: 80 mW
安装风格: SMD/SMT
类型: 2-Channel Stereo
封装 / 箱体: QFN-20
音频 - 负载阻抗: 16 Ohms
THD + 噪声: 0.05 %
电源电压-最大: 4.5 V
电源电压-最小: 1.8 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
描述/功能: Headphone
特点: Fixed Gain
高度: 0.73 mm
输入类型: Single
长度: 4 mm
输出类型: 2-Channel Stereo
电源类型: Single
宽度: 4 mm
商标: Texas Instruments
增益: 63.52 dB
通道数量: 2 Channel
电源电流—最大值: 10 mA
开发套件: TPA4411EVM
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 8 mA
工作电源电压: 1.8 V to 4.5 V
输出信号类型: Differential
Pd-功率耗散: 3450 mW
产品类型: Audio Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 80 dB
工厂包装数量: 3000
子类别: Audio ICs
单位重量: 38.100 mg

可给第二级浮空栅引出一个电极,使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压,第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应,使电子注入第一浮空栅极,即编程写入。若使VG为负电压,强使第一浮空栅极的电子散失,即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加正电压,使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与漏极之间的隧道效应,将注入到浮空栅的负电荷吸引到源极。
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