过高的升温和降温速度损坏PCB和芯片
发布时间:2020/10/9 22:52:49 访问次数:2216
贴片时必须使BGA芯片上的每一个焊锡球与PCB上每一个对应的焊点对正。
在回流焊过程中,要正确选择各区的加热温度和时间,同时应注意升温的速度。一般,在100℃前,最大的升温速度不超过6℃/s,100℃以后最大的升温速度不超过3℃/s,在冷却区,最大的冷却速度不超过6℃/s。
因为过高的升温和降温速度都可能损坏PCB和芯片,这种损坏有时是肉眼不能观察到的。同时,对不同的芯片、不同的焊锡膏,应选择不同的加热温度和时间;对免洗焊膏,其活性低于非免洗焊膏,焊接温度不宜过高,焊接时间不宜过长,以防止焊锡颗粒的氧化。
在进行PCB设计时,PCB上BGA的所有焊点的焊盘应设计成一样大,如果某些过孔必须设计到焊盘下面,也应当找合适的PCB厂家,确保所有焊盘大小一致,焊盘上焊锡一样多且高度一致。
产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:115 mA
制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS:否商标:Infineon Technologies产品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.5 V在25 C的连续集电极电流:145 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 150 C封装 / 箱体:Half Bridge1栅极/发射极最大电压:20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:700 W工厂包装数量:10
CH579是集成BLE无线通讯的ARM内核32位微控制器。片上集成低功耗蓝牙BLE通讯模块、以太网控制器及收发器、全速USB主机和设备控制器及收发器、段式LCD驱动模块、ADC、触摸按键检测模块、RTC等丰富的外设资源。
芯片框图
特点
32位ARM Cortex-M0内核,最高40MHz系统主频
内置32K SRAM,250KB CodeFlash,2KB DataFlash, 4KB BootLoader,支持ICP、ISP和IAP,支持OTA无线升级
支持蓝牙BLE,兼容Bluetooth Low Energy 4.2规范
集成2.4GHz RF收发器和基带及链路控制,单端RF接口,无需外部电感,简化板级设计,提供协议栈和应用层API
支持3.3V和2.5V电源,范围2.1V~3.6V, 内置DC/DC转换,0dBm发送功率时电流6mA
多种低功耗模式:Idle,Halt,Sleep,Shutdown,内置电池电压低压监控,最低电流0.2uA
提供10M以太网接口,内置PHY
(素材来源:chinaaet.如涉版权请联系删除。特别感谢)
贴片时必须使BGA芯片上的每一个焊锡球与PCB上每一个对应的焊点对正。
在回流焊过程中,要正确选择各区的加热温度和时间,同时应注意升温的速度。一般,在100℃前,最大的升温速度不超过6℃/s,100℃以后最大的升温速度不超过3℃/s,在冷却区,最大的冷却速度不超过6℃/s。
因为过高的升温和降温速度都可能损坏PCB和芯片,这种损坏有时是肉眼不能观察到的。同时,对不同的芯片、不同的焊锡膏,应选择不同的加热温度和时间;对免洗焊膏,其活性低于非免洗焊膏,焊接温度不宜过高,焊接时间不宜过长,以防止焊锡颗粒的氧化。
在进行PCB设计时,PCB上BGA的所有焊点的焊盘应设计成一样大,如果某些过孔必须设计到焊盘下面,也应当找合适的PCB厂家,确保所有焊盘大小一致,焊盘上焊锡一样多且高度一致。
产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:115 mA
制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS:否商标:Infineon Technologies产品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.5 V在25 C的连续集电极电流:145 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 150 C封装 / 箱体:Half Bridge1栅极/发射极最大电压:20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:700 W工厂包装数量:10
CH579是集成BLE无线通讯的ARM内核32位微控制器。片上集成低功耗蓝牙BLE通讯模块、以太网控制器及收发器、全速USB主机和设备控制器及收发器、段式LCD驱动模块、ADC、触摸按键检测模块、RTC等丰富的外设资源。
芯片框图
特点
32位ARM Cortex-M0内核,最高40MHz系统主频
内置32K SRAM,250KB CodeFlash,2KB DataFlash, 4KB BootLoader,支持ICP、ISP和IAP,支持OTA无线升级
支持蓝牙BLE,兼容Bluetooth Low Energy 4.2规范
集成2.4GHz RF收发器和基带及链路控制,单端RF接口,无需外部电感,简化板级设计,提供协议栈和应用层API
支持3.3V和2.5V电源,范围2.1V~3.6V, 内置DC/DC转换,0dBm发送功率时电流6mA
多种低功耗模式:Idle,Halt,Sleep,Shutdown,内置电池电压低压监控,最低电流0.2uA
提供10M以太网接口,内置PHY
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