高功率步进电机控制驱动芯片

发布时间:2020/9/12 14:40:31 访问次数:1539

氮化镓(GaN)为第三代宽禁带半导体材料，在高温、高压、高频等应用场合其半导体器件的特性都要优于Si基半导体器件，因此，在电力电子的应用领域备受瞩目。

用GaN材料制成的功率器件GaN FET具有低的击穿电压、低的阈值电压、低的栅极电荷Qg，其开关频率高，导通电阻小。GaN FET优越的特性与其器件结构有极大的关系。但是它的缺点也不可忽视，在高频应用场合表现极为明显，比如其对寄生参数极其敏感，高频使用时极易使栅极电压产生振荡，引起栅极过电压，导致器件工作不稳定，甚至不安全。

因此相较于传统的Si基半导体器件的驱动电路，GaN FET的驱动要求更为严苛。GaN FET的进步、应用的发展与其器件结构和驱动电路有密不可分的联系，因此，其器件结构和驱动电路的研究很有意义。

制造商:Toshiba产品种类:MOSFETRoHS:

技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DSOP-8晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:15.4 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:22 nC最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:142 W通道模式:Enhancement商标名:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single

系列:

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Toshiba

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:20 ns

带串行通信接口的高功率步进电机控制驱动芯片TMC5160, 将实现自动目标定位的灵活斜坡发生器和业界最先进的步进电机驱动器结合在一起。通过外置MOSFET，实现高动态、高扭矩电机驱动。Trinamic先进的spreadCycle和stealthChop斩波器、驱动器，可以绝对无噪音地运行，并实现最大效率和最佳电机扭矩控制。TMC5160的高集成度、高能效和小外形尺寸的特性，使系统小型化和性能可扩展变得可行，从而让经济、高效的解决方案得以实现。完整的解决方案在实现高性能基础上，能将学习时间尽可能缩短，加快产品上市时间。

简单易用和成本效益原则是Trinamic设计师在设计步进电机驱控芯片时的指导方针。TMC5160将强大的步进电机驱动器和运动控制器集成在一块芯片上，将数字信息直接转换为平滑、精确、可靠的物理运动，被广泛地用于机器人、工业驱动、纺织、缝纫机、包装、工厂和实验室自动化、高速 3D 打印机、液体处理、医疗、办公自动化、视频监控、自动取款机和现金回收机等应用中。