XC4052XLA-07BGG432I由M1808-T核心板和M1808-EV-Board评估底板组成，是基于Rockchip 的RK1808 AIoT处理器开发。RK1808处理器芯片采用CPU（Central Processing Unit，中文译为中央处理单元）+NPU（Network Process Unit，中文译为神经网络处理单元）双架构，其中CPU为1.6GHz双核Cortex-A35架构，NPU的峰值算力高达3.0TOPs，支持INT8/INT16/FP16混合运算，最大程度兼顾性能、功耗、运算精度，支持TensorFlow/MXNet/PyTorch/Caffe等一系列框架的网络模型转换，兼容性强。VPU视频处理单元支持1080P视频编解码，支持麦克风阵列，并具有硬件VAD功能，支持低功耗侦听远场唤醒，还支持摄像头视频信号输入，并具有内置ISP。M1808平台具有高性能、低功耗、易编程、集成NPU等特点。 

硅基以及碳化硅解决方案相比，650 V CoolSiC™ MOSFET能够带来更加吸引人的优势：更高开关频率下更优的开关效率以及出色的可靠性。得益于与温度相关的超低导通电阻（RDS(on)），这些器件具备出色的热性能。此外，它们还采用了坚固耐用的体二极管，有非常低的反向恢复电荷：比最佳的超结CoolMOS™ MOSFET低80%左右。其换向坚固性，更是轻松实现了98%的整体系统效率，如通过连续导通模式图腾柱功率因素校正（PFC）。

简化采用650 V CoolSiC™ MOSFET的应用设计，确保器件高效运行，英飞凌还提供了专用的单通道和双通道电气隔离EiceDRIVER™栅极驱动器IC。这个解决方案（整合了CoolSiC™开关和专用的栅极驱动器IC）有助于降低系统成本和总拥有成本，以及提高能效。CoolSiC™ MOSFET可与其它英飞凌EiceDRIVER™栅极驱动器系列IC无缝协作。

供货情况650 V CoolSiC™ MOSFET系列共8个版本，采用两种插件TO-247封装。

湿敏电容的主要优点是灵敏度高、产品互换性好、响应速度快、湿度的滞后量小、便于制造、容易实现小型化和集成化，其精度一般比湿敏电阻要低一些。国外生产湿敏电容的主厂家有Humirel公司、Philips公司、Siemens公司等。以Humirel公司生产的SH1100型湿敏电容为例，其测量范围是（1%～99%）RH，在55%RH时的电容量为180pF（典型值）。当相对湿度从0变化到100%时，电容量的变化范围是163pF～202pF。温度系数为0.04pF/℃，湿度滞后量为±1.5%，响应时间为5s。

共阻抗耦合，由两个回路经公共阻抗耦合而产生，干扰量是电流i，或变化的电流di/dt。

容性耦合，在干扰源与干扰对称之间存在着耦合的分布电容而产生，干扰量是变化的电场，即变化的电压du/dt。

感性耦合，在干扰源与干扰对称之间存在着互感而产生，干扰量是变化的磁场，即变化的电流di/dt。

         

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