ZC821B 调整NAND闪存芯片的晶圆

发布时间:2020/2/21 21:46:08 访问次数:1415

ZC821B半导体技术公司三星电子宣布，其位于韩国华城的半导体生产线V1已经开始量产。

V1生产线于2018年2月动工，并于2019年下半年开始测试晶圆生产，首批产品将于今年第一季度交付给客户。

V1生产线的累计总投资将达到60亿美元，7nm及以下工艺节点的总产能预计将是2019年的3倍。

同样位于华城的S3晶圆厂开始了7LLP工艺的初步生产。

公司计划最早在本月削减NAND存储芯片产量的报道。三星电子和SK海力士计划削减NAND闪存芯片产量。报道还表示，如果日本的出口限制延长，三星也在考虑“紧急措施”，包括分阶段削减DRAM芯片产量。SK海力士在4月份的一季度电话会议上表示，公司计划调整NAND闪存芯片的晶圆组合。

根据IC Insights的报告，由于全球内存和闪存芯片市场的崩溃，这带来半导体市场格局一个“完全的转变”。

作为对比，2018年上半年，三星电子芯片销售额比英特尔高出22%，但今年同期英特尔的销售额比三星高出20%。

中国台湾地区的半导体厂商台积电公司上半年销售额下降9%，取代韩国海力士位居全球第三名。SK海力士跌至第四位。

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