XC3130A-2VQG100C 碳化硅器件的开关损耗和导通损耗

发布时间:2020/2/28 8:54:45 访问次数:2571

XC3130A-2VQG100C目前具有代表性的嵌入式AI平台，具备了3.0 TOPs的基础算力，基本可以满足大部分场景的使用，如人脸门禁、扫脸支付、智能餐桌等。此外，如果对照片处理的实时性要求不高，比如山火识别，面对这种对网络模型的查全率要求很高的场景，就可以使用上结构更深的模型，来达到精度更高的效果。五、神经网络推理速度· 为了更直观地认识M1808的AI计算能力，在图表1中，我们分别在三种相同的神经网络模型下，对比M1808与常见手机芯片的网络神经网络运行时间。运行时间的长短可以反应出硬件平台AI计算能力。可以看到，对比当今主流的手机芯片，M1808的AI算力也毫不逊色，足以满足大部分AI功能需求。

650 V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ-107 mΩ之间，采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的所有CoolSiC™ MOSFET产品相比，全新650V系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外，它们还具备最高的跨导水平（增益）、4V的阈值电压（Vth）和短路稳健性。总而言之，沟槽技术可以在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低的损耗，并在运行中实现最佳可靠性。

电容式湿度传感器复数电压法测量的具体测量电路，包括三个部分：微分电路、反相电路和积分电路。正弦波发生器产生的正弦信号Vin经过微分电路后，信号变成Vout，然后将Vout的输出分成两路，一路直接经电子开关1K直接进入积分电路，另一路先经过反相电路，使Vout的输出为Vout，经过电子开关2K后，也同样进入积分电路。电子开关1K、2K的作用是将Vout信号进行整流，然后经过积分电路进行测量。利用上述方法测量湿敏电容的值，测量范围在30pF~100pF之间,测量的相对误差可达±0.2%。