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芯片内部有经过激光处理的R0M

发布时间:2019/8/10 17:45:09 访问次数:683

   “位激光R0M

    芯片内部有经过激光处理的R0M,内含Cz1位ROM编码。开始8位是产品系列类型的编号,中间鲳位是每个器件的唯一序号,最后8位是前面56位的CRC检验码,这是多个DS18B⒛采用单线进行通信的原因。非易失性温度报警触发器TH和TL,通过软件写人用户报警上下限数据。编码格式如图I1.5.3所示。I22LV10-7LK

   高速缓存器

    它包括一个高速缓存器RAM和一个非易失性电擦写的E2PR0M。高速缓存器RAM的结构为9字节的存储器,结构如图11.5.4所示。


    前两字节包含测得的温度信息c第三字节和第四字节是分辨率将温度再转换为相应精准的数值。该字节各位定义见 |配置寄存器丨5字节图11.5,5。

    

    其中低5位一直为1,TM是测试模式位,用于设置 中7字节Ds18B20为测试模式或工作穆乏式。DS18B20在出厂时,该位6字节被设置为0,用户不需要进行修改,R1和R0是可编程分辨力位,通过对这两位进行不同的编程,决定不同温度的分辨力和最大转换时间,其定义方法见表11.5.1。

    由表H.5.1可见,Ds18B⒛温度转换的时间比较长,而且设定的分辨力越高,温度数据转换时间越长,因此,在实际应用中要将分辨力和转换时间权衡考虑c高速缓存器RAM的第6、7、8字节保留待用,设置为全逻辑1。第9字节是前面所有8字节CRC   图1I,5.5各位定义码,用来检验数据,从而保证通信数据的正确性。

    当芯片接收到温度转换命令后,开始启动转换。转换完成后的温度值就以16位带符号扩展的二进制补码形式存储在高速缓存器RAM的第1、2字节中。单片机通过单线接口读出该数据。读数据时,低位在先,高位在后,数据格式以0。“笏℃/LsB形式表示。





   “位激光R0M

    芯片内部有经过激光处理的R0M,内含Cz1位ROM编码。开始8位是产品系列类型的编号,中间鲳位是每个器件的唯一序号,最后8位是前面56位的CRC检验码,这是多个DS18B⒛采用单线进行通信的原因。非易失性温度报警触发器TH和TL,通过软件写人用户报警上下限数据。编码格式如图I1.5.3所示。I22LV10-7LK

   高速缓存器

    它包括一个高速缓存器RAM和一个非易失性电擦写的E2PR0M。高速缓存器RAM的结构为9字节的存储器,结构如图11.5.4所示。


    前两字节包含测得的温度信息c第三字节和第四字节是分辨率将温度再转换为相应精准的数值。该字节各位定义见 |配置寄存器丨5字节图11.5,5。

    

    其中低5位一直为1,TM是测试模式位,用于设置 中7字节Ds18B20为测试模式或工作穆乏式。DS18B20在出厂时,该位6字节被设置为0,用户不需要进行修改,R1和R0是可编程分辨力位,通过对这两位进行不同的编程,决定不同温度的分辨力和最大转换时间,其定义方法见表11.5.1。

    由表H.5.1可见,Ds18B⒛温度转换的时间比较长,而且设定的分辨力越高,温度数据转换时间越长,因此,在实际应用中要将分辨力和转换时间权衡考虑c高速缓存器RAM的第6、7、8字节保留待用,设置为全逻辑1。第9字节是前面所有8字节CRC   图1I,5.5各位定义码,用来检验数据,从而保证通信数据的正确性。

    当芯片接收到温度转换命令后,开始启动转换。转换完成后的温度值就以16位带符号扩展的二进制补码形式存储在高速缓存器RAM的第1、2字节中。单片机通过单线接口读出该数据。读数据时,低位在先,高位在后,数据格式以0。“笏℃/LsB形式表示。





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