引线电容

   外壳的引线电容一般按照GB/T16526-19%《封装引线间电容和引线负载电容测试方法》K4B2G0846B-HCK0中的测试方法测试。测试设备为电容测试仪,电容测试仪在1MHz频率下进行测试,将两根同轴探针分别置于两个被测引线的内引出端上方约3mn处。将待测试引线周围的其他引线连接在一起,并将屏蔽探针置于它们中任一引线的内引出端,以保证这些引线不影响测量。引线电容的测试采用了加屏蔽的两探针法,而且要求用于屏蔽连接的绝缘线线径大于等于仞。01rllm,同轴电缆长度不大于1m,要求电容计的精度为±2%,量程为OpF~100pF,由于外引线间存在寄生电容,它会影响引线电容测试的准确性,所以外引线应尽可能短。

   从外壳引线的基本结构出发,两根平行的金属引线构成了电容的两个极板,形成引线分布电容,根据高斯定理,两引线间的电容量为,C是两引线间电容量(pF),￡为引线长度(cm),ε为两引线间绝缘体的介电常

数,D为两引线问的距离(cm)。由上式可知,介电常数ε、引线长度z、引线间距D、引线半径R是影响引线电容的主要因数。其中z、ε、R越小,D越大,引线电容就越小。封装电路处于高频工作时,若封装引线所形成的分布电容过大,可能会导致电路信号产生短路、串扰、自激、自扰等一系列影响电路正常工作的不利现象,从而使电路的损耗加大、功率增益下降、噪声增大。所以在设计外壳时要使其引线间电容越小越好。