HC8T0810

  LJ对Al电极修饰使电子注人效率显著提高的机制,有多种解释,下

面分别阐述。

    当在电子传输层之上制备ⅡF后,再制各Al电极,由于电子可以透过LF经Al的费米能级与电子传输层的LUMo形成隧穿效应,从而提高了电子注人,降低了器件驱动电压。同时,薄层LiF避免了Al与电子传输材料的直接接触,有效地消除了界面偶电层所导致的势垒。此机制可以解释以ⅡF/Al取代Al电极所得器件性能的提高。但是使用ⅡF/Al电极与掺杂ⅡF的Al电极,可以得到相同的器件性能,对此却无法解释,如图5,18所示。

   因为以LJ掺杂Al,Al电极将不可避免地与电子传输层相接触,经由Lr隧穿这种解释不能成立。

   通过紫外光电子能谱tUP9对AVⅡF/Alqs及Al/A‰界面电子结构进行分析发现,A砾的HOMo能级及真空能级的漂移是由ⅡF所致。在Al/Alq3和Al/LJ界面所测得的偶极分别为1.0eV、1.6eV,表明Lr内嵌于Alq3与Al之间,可以降低Al到Alq3的电子注人势垒。如图5.19(a)所示,由于Alq3与Al之间大小为I.0eV的电偶极的形成,使电子注入势垒由不形成偶极时的1.5eV降低到0.5eV,当内嵌ⅡF后,如图5,19(b)所示,界面偶极增大为1,6eV,因此电子的注人势垒为硐,1eV,即电子注人是能量有利方向,不存在注人势垒。