LM2512SM

   当金属和非金属材料(可能是绝缘体或半导体)之间相互接触时,就形成了电接触。电接触是一种异质结,但不包括两种不同半导体之间、两种不同金属之间、或者一个半导体与一个绝缘体之间的接触。载流子通过电极向固体材料内部的注入,需要经过电接触。根据金属与非金属接触势垒的不同,电接触既可以使载流子能够注人,也有可能阻挡载流子注人。电接触分为中性接触、schottky接触和欧姆接触三类。

    中眭接触时,半导体没有被掺杂,同时它本身不存在电荷,亦即不存在界面处电子向金属或者半导体的流动。另外,金属与半导体界面是纯度很高的物质,即高度清洁,表面态与块体材料内部一样刀展示了中性电接触的几种情况。

    是金属1(MD和金属×M2)没有与半导体lsO接触时的能级分布情形,其中M1的功函数小于M2。当M1和M2与半导体形成中性接触并且两个电极连接在一起时,由于M1的功函数较小,电子能量较高,因此电子将由M1流向M2,直到二者的费米能级相等。结果使M1带正电,M2带负电,因此半导体sC内部将产生由带正电荷的M1/sC界面指向带负电荷的SC/M2的静电势。一方面,仇I使MI表面电子能量降低

费米能级降低),使M2表面电子能量升高(即M2费米能级升高),。另一方面,仇I使两个电极之间厚度为歹的半导体内部形成内建电场

MI、M2、sC分别为金属1、金属2、半导体,V、V1、V2都代表真空能级,E'和JP分别为电子亲和能和电离能,d是半导体厚度,CB和VB分别代表导带和价带,Eg是能隙,FF・是费米能级,仇I和F:【分另刂是内建电势和内建电场大小,伽是金属的功函数,F是半导体内电场,魄对是外加电压,惦和仇分别为注人电子和空穴需要克服的势垒式中,伽l和伽2分别为M1和M2的功函数,g是单位电荷电量,歹是半导体厚度。由于电子的势能增大方向与电势方向相反,半导体sC内建场使

Ml/sC界面的电子势能降低,sC/M2界面的电子势能升高,因此半导体内部的电宁能级的升高模式在M1和M2之间分布。